Elektrodepozisyon yoluyla elde edilmiş olan ni/n-GaAs schottky diyotlarının elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Metal ve yarıiletken kombinasyonları son yıllarda bilim dünyası için önemli optoelektronik ve elektronik cihaz uygulamalarıdır. Özellikle toprak elementlerinin (Fe, Ni, Co) yarıiletkenlerle kombinasyonu ile üretilen Schottky Bariyer kontaklar optik dedektörleri, güneş pilleri ve kimyasal sensörlerin temelidir. GaAs en popüler yarıiletken malzemelerden biridir. Aynı zamanda elektrodepozisyon yöntemi, yüksek verimi ve düşük maliyeti nedeniyle kaplama yönteminde tercih edilmesinin sebebidir. Bu araştırmada metal-yarıiletken Schottky diyodun elektriksel ve optik özellikleri araştırılmıştır. Schottky diyot, nikelin elektrodepozisyon yöntemi ile n-GaAs üzerine kaplanması oluşturulmuştur. İdealite faktörü ve bariyer yüksekliği, oda sıcaklığında akım-gerilim ölçümlerinden hesaplanmıştır. Hafif volt-akım karakteristikleri incelenmiştir. Örneklerin akım-voltaj özellikleri farklı dalga boyu lazer ışınlarıyla aydınlatılarak incelenmiştir. Yapının spektral fotoetki ölçümleri oda sıcaklığında gerçekleştirilmiştir. Bu, fabrikasyon yapının optoelektronik cihaz uygulamaları için iyi bir aday olmasını sağlayan davranışlar sergilediği gösterilmiştir.

Metal and semiconductor combinations are important optoelectronic and electronic devices applications for science world during recent years. In especially Schottky Barrier contacts manufactured by combination of earth elements (Fe, Ni, Co) with semiconductors are for the device optical detectors, solar cells and chemical sensors. Gallium arsenide (GaAs) is one of the most popular semiconductor materials. Electrodeposition method is also the reason why it is preferred in coating method due to its high efficiency and low cost.In this research, electrical and optical properties of metal-semiconductor Schottky diode were investigated. Schottky diode was fabricated by electrodeposition of Nickel onto n- GaAs substrate. Ideality factor and barrier height were calculated from current-voltage measurements at room temperature. Light volt-current characteristics were investigated. The current–voltage characteristics of the samples were examined by illuminating with different wavelength laser beams. Spectral photoresponse measurements of the structure were carried out at room temperature. This were shown that the fabricated structure exhibited behavior that makes it a good candidate for optoelectronic device applications.