Ters V-şekilli bir kuantum kuyusunun doğrusal ve doğrusal olmayan optik özellikleri

Abstract

Ters V- şekilli GaAs/Ga1-xAlxAs tek kuantum kuyusunun doğrusal ve doğrusal olmayan optik özellikleri üzerine elektrik ve manyetik alanın etkisi etkin kütle yaklaşımı çerçevesinde teorik olarak incelenmiştir. Elde edilen sayısal sonuçlar foton enerjisinin bir fonksiyonu olarak sunulmuştur. Sonuç olarak yapılan bu çalışma ile elektromanyetik spektrumun kızılötesi bölgesinde çalışabilen yeni optoelektronik aygıtların tasarlanması için anahtar parametreler olan, kuantum kuyu genişliği, kuşatma potansiyeli derinliği, alüminyum konsatrasyonu gibi yapı parametreleri elde edilmiştir.

The effect of the electric and magnetic fields on the linear and non-linear optical properties of inverse V-shaped GaAs/Ga1-xAlxAs single quantum well is theoretically investigated within the framework of effective mass approximation. The obtained numerical results are presented as a function of photon energy. As a result by means of this research, the structural parameters such as quantum well width, confinement potential depth, and aluminum concentration that are key parameters for designing new optoelectronic devices that operate on infrared region of electromagnetic spectrum are obtained.