2,3,4-trihidroksibenzaldehitten türetilmiş yeni poli(fenoksi-imin) sentezi, karakterizasyonu ve özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Yeni bir trihidroksi sübstitüe 4-((fenilimino)metil)benzen-1,2,3-triol (2,3,4-PIMB)'ün sulu bazik ortamda sodyum hipokloritle oksidatif kapling polimerizasyonu çalışıldı. Sentezlenen bileşikler UV-Vis, Fourier Transform Infrared (FT-IR), Nükleer Manyetik Rezonans (NMR) ve Jel Geçirgenlik Kromatoğrafisi (GPC) teknikleri kullanarak karakterize edildi. Yapılan analizlere göre, sentezlenen polimerin C-O-C bağlanmasına sahip olduğu gözlendi. Bu durum, monomer ve polimer bileşiklerinin ısıl dayanımlarının benzer olduğunu gösterdi. Ayrıca, sentezlenen poli(fenoksi-imin)in band boşlukları elektrokimyasal ve optik yöntemlerle belirlendi. Bunun bir sonucu olarak, band boşluğu değerlerleri elektrokimyasal ve optik yöntemine göre sırasıyla 2,27 eV ve 2,98 eV olarak hesaplandı. Ayrıca Ni/poli(2,3,4-PIMB)/p-Si/Alheteroyapı uygulamaları çalışıldı. Ni/poli(2,3,4-PIMB)/p-Si/Al heteroyapısının iyi doğrultma özelliğine sahip olduğu gözlemlendi ve idealite faktörü ve bariyer yüksekliği değerleri sırasıyla 1,54-1,78 ve 0,62 eV-0,67 eV aralığında bulundu. Heteroyapılı Ni/poly(2,3,4-PIMB)/p-Si/Al maddesinin voltaj kapasitesi ölçümleri de analiz edildi.

The oxidative coupling polymerization of 4-((phenylimino)methyl)benzene-1,2,3-triol abbreviated as 2,3,4-PIMB, a new trihydroxy substituted phenoxy-imine, was studied in an aqueous alkaline medium using sodium hypochlorite. The macromolecular structure of the polymer was characterized by Fourier Transform Infrared (FTIR), Nuclear Magnetic Resonance (NMR), UV-Vis. and Gel Permeation Chromatography (GPC) techniques. According to these analyses, the synthesized polymer has backbone involving wholly oxyphenylene linkages. Therefore, thermal stability of the polymer and its monomer was found to be similar. In addition, band gaps of the newly synthesized poly(phenoxy-imine) were determined using electrochemical and optical techniques. As a result of these measurements, the band gaps of poly(2,3,4-PIMB) were calculated as 2.27 and 2.98 eV, respectively. Furthermore, seven Ni/poly(2,3,4-PIMB)/p-Si/Al heterojunction devices were fabricated and it was seen that all devices showed good rectifying behavior such that the ideality factor and the barrier height values ranged from 1.54 to 1.78 and from 0.62 eV to 0.67 eV, respectively. The capacitance-voltage measurements of one Ni/poly(2,3,4-PIMB)/p-Si/Al heterojunction device were also analyzed.