Plazma ile zenginleştirilmiş kimyasal depolama tekniği kullanılarak büyütülen çok katlı amorf SiOx:SiOxGe filimlerde ge nanokristallerin elektron mikroskobu ile görüntülenmesi

Abstract

Bu tezde, SO2 yapılar içerisinde Ge nanokristallerinin yapısal özellikleri TEM ( Geçirmeli Elektron Mikroskobu ) kullanılarak incelenmiştir. İnce filmler GeH4, SiH4 ve N2O gazlarının farklı akış oranları kullanılarak PECVD tekniği ile büyütüldü. PECVD cihazı kullanılarak üretilmiş örnekler, farklı sıcaklık ve sürelerde tavlanmış ve tavlanmamış (as-grown) olarak TEM görüntüleri alındı. Nanokristal oluşumlar tavlanmış ve yeterli Ge oranı katılan filmlerde gözlemlendi. Isıl tavlamanın Ge nanokristallerin özelliklerine olan etkileri saptandı. TEM yöntemi ile belirli bir sıcaklığın üzerindeki tavlamalardan Ge nanokristallerinin oluşturulabileceği, bu nanokristallerin boyutlarının tavlama sıcaklığı ve süresi ile ayarlanabileceği gösterildi. Matris içerisindeki farklı boyutlarda Ge nanokristallerin yapı özelliklerinin ayarlanılabilir olduğu gösterildi.

In this thesis, the morphology properties of Ge nanocrystals in SiOx structures are investigated by using TEM (transmission electron microscopy) technique. Thin films have been grown with different flow rates of GeH4, SiH4 and N2O by PECVD technique. TEM images of the PECVD grown samples have been taken for different annealing temperatures and time and as grown samples. Nanocrystal formations have been observed for annealing and sufficient rate of Ge added films. The effect of thermal annealing for properties of Ge nanocrystals has been determined. With TEM method shown that annealing of over certain temperature Ge nanocrystals generate and this nanocrystals size can be controlled with annealing temperature and time. Structural properties of Ge nanocrystals at different sizes in matrix have been shown to able to change.