Silisyum S-dope edilmiş galyum arsenid (GaAs) epitaksiyel yapıların fotoiletkenlik özelliklerinin incelenmsi

Abstract

V. ÖZET SİLİSYUM 5-DOPE EDİLMİŞ GALYUM ARSENID (GaAs) EPITAKSİYEL YAPILARIN FOTOİLETKENLİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Yanyalıtkan GaAs kristali üzerine `Molecular Beam Epitaxy` (MBE) yöntemi ile, iki GaAs tabakası arasında 20Â kalınlığında Si tabakası oluşturulması sonucunda elde edilen, Si 5-dope edilmiş GaAs yapılarda fotoiletkenliğin spektral bağımlılığı; sıcaklığın, foton akısının, uygulanan elektrik alanın ve ışıkla uyarılma süresinin fonksiyonları olarak incelendi. Elde edilen sonuçlarda katkılı fotoiletkenlik bölgesi içerisinde gözlenen 8-dope edilmiş yapının literatürde verilen modelle uyumlu olduğu ve yapının gözlenmesinde deneysel parametrelerin uygun seçiminin önemli bir rol oynadığı gösterildi. İkincil bir ışık kaynağı ile sürekli uyarma sonucu oluşturulan yeni denge durumu altında elde edilen spektrumlardan yapıdaki bozukluk ve/veya yabancı katkıların neden olabileceği bazı yapılar incelendi. Sonuçlar literatürde değişik yöntemlerle elde edilen verilerle karşılaştırıldı. -49-

SUMMARY THE INVESTIGATION OF THE PHOTOCONDUCTIVITY PROPERTIES IN EPITAXIAL STRUCTURES OF SILICON 8-DOPED GALLIUM ARSENIDE (GaAs) Si 8-doped structure grown using the method of `Molecular Beam Epitaxy (MBE)` have been investigated. The sample comprise a 20 Â layer of silicon sandwiched between two Gallium Arsenide layers deposited onto a semi-insulator GaAs substrate. The ac spectral dependence of the photoconductivity has been studied as a function of temperature, photon flux, applied electric field and chopping frequency. It is shown that careful selection of experimental conditions is necessary to observe the photoconductivity arising from the 8-doped region, and when this is done the result are in general agreement with those found in the literature. Using the secondary continous light source to change the steady state condition, impurities and defect states have been investigated. The results are compared with the results of other techniques discussed in the literature. -50-