TlInS2 tek kristallerinin fotoiletkenlik özellikleri

Abstract

- V oz TllnS tek kristallerinin f otoi 1 etkenlik özellikleri` 2 Bu çalışmada 300 K ve 90 K sıcaklıklarında uygulanan voltajın fonksiyonu olarak TllnS kristalinin karanlıkta ve aydınlatma altındaki elektrik iletkenliği ve serbest taşıyıcı yoğunluğu p, gelen ışığın farklı dalgaboyları için incelen miştir. Ayrıca G oluşma hızının, p yoğunluğuna bağlılığı araştırılmıştır. Diğer taraftan TllnS kristalinin valans bandı üzerinde O. 028 ve 0.050 eV da hol tuzakları olarak aktif olan ve iki alt aralık şeklindeki iki enerji seviyesi, modüle edilmiş ışık şiddetinin neden olduğu modüle edilmiş fotoakımların analizi ile tayin edilmiştir. 300 K sıcaklı- -13 -13 3 -i ğındaki yakalama katsayıları sırasıyla İO ve İO cm sn mertebesi ndedi r. ABSTRACT On the photoconducti ve properties of TllnS single crystals In this work, electrical conductivity both in dark and under illuminating of TllnS was investigated as a function of the applied voltage and the free carriers concentration p was studied for different wavelengths of the incident light at 300 and 90 K. Further, the dependence of the concentration p on the generation rate G was investigated. On the other hand, two energy levels forming two subbands and acting as hole traps at 0.028 and O. 050 eV above the valance band edge of TllnS were determined by an analysis of modulated photo- currents induced by an intensity modulated light beam. Their capture coefficients were of the order of magnitude İO and - İ.5 3 - jl İO cm sn at 300 K, resp«ctivoly.

- V oz TllnS tek kristallerinin f otoi 1 etkenlik özellikleri` 2 Bu çalışmada 300 K ve 90 K sıcaklıklarında uygulanan voltajın fonksiyonu olarak TllnS kristalinin karanlıkta ve aydınlatma altındaki elektrik iletkenliği ve serbest taşıyıcı yoğunluğu p, gelen ışığın farklı dalgaboyları için incelen miştir. Ayrıca G oluşma hızının, p yoğunluğuna bağlılığı araştırılmıştır. Diğer taraftan TllnS kristalinin valans bandı üzerinde O. 028 ve 0.050 eV da hol tuzakları olarak aktif olan ve iki alt aralık şeklindeki iki enerji seviyesi, modüle edilmiş ışık şiddetinin neden olduğu modüle edilmiş fotoakımların analizi ile tayin edilmiştir. 300 K sıcaklı- -13 -13 3 -i ğındaki yakalama katsayıları sırasıyla İO ve İO cm sn mertebesi ndedi r. ABSTRACT On the photoconducti ve properties of TllnS single crystals In this work, electrical conductivity both in dark and under illuminating of TllnS was investigated as a function of the applied voltage and the free carriers concentration p was studied for different wavelengths of the incident light at 300 and 90 K. Further, the dependence of the concentration p on the generation rate G was investigated. On the other hand, two energy levels forming two subbands and acting as hole traps at 0.028 and O. 050 eV above the valance band edge of TllnS were determined by an analysis of modulated photo- currents induced by an intensity modulated light beam. Their capture coefficients were of the order of magnitude İO and - İ.5 3 - jl İO cm sn at 300 K, resp«ctivoly.