Düşük boyutlu yarıiletken yapılarda optik dalgalar
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
rv öz `Düşük Boyutlu Yarıiletken Yapılarda Optik Olaylar` Bu çalışmada, düşük boyutlu yarıiletken yapıların bazı özellikleri elipsometri yöntemi ile incelenmiştir. Elipsometri, genel olarak polarize olmuş elektromanyetik dalgaların polarizasyon durumlarının ölçülmesi olarak tarif edilebilmektedir. Elipsometri, bu yapıların optik özellikleri ve tabaka kalınlıklarının belirlenmesinde duyarlı ve hasarsız bir yöntemdir. Deneylerde, `Moleculer Beam Epitaxy (MBE)` yöntemi ile büyütülmüş olan GaAs/Gaı.xAlxAs düşük boyutlu yarıiletken yapılar kullanıldı. Elipsometrik ölçümler, 1.55eV - 1.9eV foton enerji bölgesinde yapılmıştır. Elipsometrik ölçümlerden elde edilen sonuçlar, elipsometrinin kuantum kuyularında meydana gelen geçişleri belirleyebildiğini göstermiştir. Tabaka kalınlıklarının ve Al konsantrasyonunun değişken parametreler olarak alınmasıyla, bu eksitonik geçişlere karşılık gelen enerji değerleri bulunmuştur. Elipsometrik parametrelerden yararlanarak, bu yapıların etkin kırılma indisi ve söndürme katsayıları da hesaplanabilmektedir. Aynı enerji bölgesinde, bu optik sabitlerin de değişimleri incelendi. Elde edilen bu sonuçlar, bu sabitlerdeki değişimlerde de eksitonik geçişlerin gözlenebildiğini göstermiştir. V ABSTRACT ` Optical Processes in Low Dimensional Semiconductor Structures` In this study, some optical properties of low dimensional semiconductor structures have been investigated by ellipsometry. Ellipsometry can generally be as a measurement of the state of polarization of electromagnetic waves. Ellipsometry is a sensitive and non-destructive method for determining optical properties and layer thicknesses of these structures. In the investigations, GaAs/Gai.xAlxAs low dimensional semiconductor structures grown by `Moleculer Beam Epitaxy (MBE)` have been used. Ellipsometric measurements have been done between 1.5eV and 1.9eV photon energy range. The results obtained from ellipsometric measurements showed that ellipsometry can be used to determine excitonic transitions that occur in the quantum wells of low dimensional semiconductor structures. By taking the layer thicknesses and Al concentration as adjustable parameters, the energy levels corresponding to these excitonic transitions have been calculated. The effective refraction index and extinction coefficient can also be calculated using the ellipsometric parameters. The variations at these optical parameters have been investigated in the range of interest and the results indicate that excitonic transitions exist.
Collections