GaAs/GaAlAs iki boyutlu yarı iletken aygıtlarda yüksek frekans modülasyon olayların incelenmesi

Abstract

ÖZET GaAs/GaAlAs İki Boyutlu Yarıiletken Aygıtlarda Yüksek Frekans Modülasyon Olaylarının İncelenmesi Çalışmada öncelikli olarak `Hot Electron Lasing and Light Emitting Semiconductor Heterostructure` HELLISH yapılarının çalışması ve özelliklerinin araştırılması üzerinde durulmuştur. Yine aynı yapıdan türetilen ve çift yönlü çalışabilme özelliği gösteren Top Hat HELLISH elemanının uygulamaya yönelik özellikleri farklı teknikler kullanılarak araştırılmıştır. En son aşamada yine TOP HAT HELLISH elemanı kullanılarak yapılabilecek bir devrenin nasıl olması gerektiği TOP HAT HELLISH elemanının basit eşdeğer devresi de kullanılarak incelenmiştir. XI

SUMMARY Investigation of High Frequency Modulation Behaviour on GaAs/GaAlAs 2-D Semiconductor Devices This study is focused mainly on operation principles and properties of ` hot electron lasing and light emitting semiconductor heterostructure` HELLISH devices. The properties of a derivative of this device,called Top Hat HELLISH, which is capable of operating bidirectionally, has been investigated by using different techniques as well. At the last stage the structure of the possible circuit using Top Hat HELLISH has been discussed whh the help of the simple equivalent circuit of the Top Hat HELLISH device. XU