GaInAsN kuantum kuyusu yapıların elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

Abstract

ÖZET GalnAsN KUVANTUM KUYUSU YAPILARIN ELEKTRİKSEL VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Yarıiletkenler teknolojisi 1940'lı yılların sonunda transistorun icadı ile büyük bir atılım gösterdi. Karmaşık devre elemanlarının temelini yarıiletken malzemeler oluşturur. Mikrokontrolcülerden lazer diyotlara kadar bir çok cihazın hammaddesi yarıiletken yapılardır., Gerek elektroniğin gerekse opto - elektroniğik ve haberleşmenin vazgeçilmezi olan bu malzemelerin bilim dünyasında oldukça geniş ilgi uyandırmış ve ilgi uyandırmaya devam edecektir. Teknoloji ilerledikçe ihtiyaçlar da çeşitli şekillerde değişim göstermektedir. Veri transferinde hız önemli bir faktördür. Yarıiletkenlerin büyütlmelerine bağlı olarak meydana gelen kusurlar yapı içinde izole seviyeler yaratırlar. Bu seviyeler cihaz performansım olumsuz yönde etkiler. Numune içindeki kusurlar cihazın cevap verme hızını düşürerek veri transfer hızında azalmaya neden olur. Tez süresince numunelerin optiksel ve elektriksel etkilere bağlı davranışları incelenmiştir ve tuzak seviyelerinin aktivasyon enerjileri hesaplanarak bunlar hakkında bilgi edinilmiştir. VI

SUMMARY AN INVESTIGATION OF ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF GalnAsN QUANTUM WELL STUCTURES The semiconductor technology developed greatly depending on invention of transistor end of 1940's. The semiconductor materials are the basis of the complex circuits. Semiconductor structures are the ram materials of a lot of devices from microcontrollers to laser diodes. Science has been interested in these materials for a long time and it will go on exactly as a result of opto - electronics and informatic necessity. The needs change according to problem as the technology improves. The rate is important for data transfer. The defects, are formed by growth method, create isolated levels in the structure. These levels effects performance of the devices negatively. The defects in the sample increase the response time of devices and decrease the data transfer rate. Optical and electrical effects were observed in materials during thesis. The activation energies of the trap levels were calculated and the formation of these levels were investigated. vn