III-N-V grubu düşük boyutlu yarıiletken sistemlerde taşıyıcı transport olaylarının incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada düşük oranda (<% 5) azot içeren III-V grubu yarıiletkenlerdeki transport olaylarını açıklamaya yönelik bir dizi optiksel ve elektriksel deneyler yapıldı.Yapılan bu deneylerle III-V grubu yapı içerisine dahil edilerek elde edilen alaşımda azotun yapısal kaliteyi azalttığı, fakat bunun yanında yasak bant aralığında sağladığı esneklik nedeniyle birçok uygulama alanında kullanılabileceği görülmüştür.Hall ölçümlerinde, azotun yapı içinde oluşturduğu kusurlar nedeniyle mobilitenin azot miktarındaki artışla azaldığı, boşluk mobilitesinin ise azotun varlığından etkilenmediği gözlenmiştir.Foto Hall ölçümleri, iletkenliklik bandı kenarında lokalize kusur seviyelerinde tuzaklanmış olan elektronların transporta dahil edilmesi sağlanmış ve mobilitede artış gözlenmiştirPITS ölçümlerinden örneklerdeki derin tuzak seviyelerinin aktivasyon enerjileri ve yakalama tesir kesitleri belirlenmiştir.

In this work, a series of optical and electrical experiments have been done in order to explain the transport events in III-N-V group semiconductors containing low rate (less than 5 %) nitrogen.In these experiments it is observed that nitrogen added in III-V group structures decreases the structural quality by alloying, but alongside this, it is also observed that it can be used in many fields of application because of the flexibility it enables in forbidden band gap.