InAs/GaAs ve GaSb/GaAs kuantum noktaları içeren yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, InAs/GaAs ve GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örneklerin elektriksel özellikleri incelenmiştir.Her iki örnek de MBE (Moleküler Işın Epitaksi) yöntemiyle büyütülmüştür. Her iki örnekte de Kuantum Noktaları n+- p ekleminin arınma bölgesi civarına yerleştirilmiştir.Her bir örnek için 20K ve 300K sıcaklık aralığında, Akım-Voltaj (I-V), Kapasite-Voltaj, DLTS (Derin Seviye Geçiş Spektroskopisi) ve Seviye Seçici DLTS (Charge Selective Derin Seviye Geçiş Spektroskopisi) ölçümleri alınmıştır.InAs/GaAs Kuantum Noktası içeren örnek için, aktivasyon enerjisi Seviye Seçici DLTS metodu ile 198 meV olarak bulunmuştur. GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örnek için ise aynı metotla aktivasyon enerjisi 461 meV olarak bulunmuştur.Araştırmanın daha ileri bir adımı olarak, InAs/GaAs ve GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örnekler için, saklama zamanları oda sıcaklığında sırasıyla 0.5 ns ve 1 ?s olarak bulunmuştur.Çalışmanın bir bölümü Berlin Teknik Üniversitesi, Katıhal Fiziği Enstitüsü'nde gerçekleştirilmiştir.

In this working, electrical properties of the samples which have including InAs/GaAs Quantum Dots and GaSb/GaAs Quantum Dots has been investigated.Both of the samples have been grown by Moleculer Beam Epitaxy (MBE). Quantum Dots are embedded in depletion region of n+-p junction for on all of the samples.For each one of the samples, the Current-Voltage (I-V), the Capacity-Voltage (C-V), the DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) and the Charge Selective DLTS measurements have been done, between 20K and 300K.For the sample that includes InAs/GaAs Quantum Dots, the activation energy has been determined as 198 meV by the method of Charge Selective DLTS. For the sample that includes GaSb/GaAs Quantum Dots, the activation energy has been determined as 461 meV by the method of Charge Selective DLTS.Furthermore, for both of the samples that include InAs/GaAs Quantum Dots and GaSb/GaAs Quantum Dots, the storage times have been determined as 0.5 ns and 1 ?s respectively at room temperature.A part of this work has been performed at the Technical University of Berlin, Institute of Solid State Physics.