TlSbSe2 bileşiğinin elektriksel özelliklerinin incelenmesi
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
Bu çalışmada, Bridgman-Stockbarger metoduyla büyütülmüş olan TlSbSe2 tabaka kristaller kullanıldı ve tabakalara paralel ve dik Au elektrotlar oluşturuldu. ~10-5 Torr vakum altında, 233-373 K sıcaklık bölgesinde, 1-1000 Volt aralığında gerilim uygulanarak akım-voltaj değişimlerine bakıldı. Bu değişimlerden mevcut ve baskın olan DC iletkenlik mekanizmaları ve gözlenen elektriksel anahtarlamanın tipi belirlendi. Malzemenin elektriksel anizotropiye sahip olup olmadığının belirlenebilmesi için, aynı örnek üzerinde hem tabakalara dik, hem de paralel olan In elektrotlar hazırlandı ve 233-353 K sıcaklık aralığında 0-60 Volt arası voltaj uygulanarak I-V ölçümleri yapıldı. Malzemenin elektriksel iletkenliği incelendi ve anizotropik olduğu bulundu. Ayrıca threshold voltajının seri direnç ve sıcaklık değişimiyle olan ilişkisi incelendi. In this work, TlSbSe2 layer crystals which were grown by the using Bridgman-Stockbarger technique were used and Au electrodes were formed parallel and perpendicular to the layers. The current and voltage characteristics for these samples were analyzed in ~10-5 Torr vacuum with a voltage range of 1-1000 Volts and a temperature range between 233 K and 373 K. From our analysis, we determined the existing and dominant DC conductivity mechanisms as well as the types of observed electrical switching. To define whether it shows electrical anisotropy, Indium electrodes, both parallel and perpendicular to the layers, were prepared and the current-voltage ( I-V) characteristics of TlSbSe2 between 0-60 volts and between 233- 353 K were carried out. The electrical conductivity of the material was investigated and found to be anisotropic. The relationship between the threshold voltage and series resistance and temperature were also analyzed.
Collections