Nanoyapıların fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
Bu çalışmada Çinko sülfür (ZnS) ve n tipi Çinko oksit (ZnO) nanoyapılar sentezlenmiştir ve gözenekli p tipi silisyum (gözenekli-pSi) üzerine kaplanarak fotovoltaik özellikleri incelenmiştir.Sentezlenen yapıların morfolojisi Taramalı Elektron Mikroskobu (Scanning Electron Microscopy, SEM) ile incelenerek nanoyapıda oldukları belirlenmiştir. Enerji Dağılım Spektroskopisi (Energy Dispersive Spectroscopy, EDS) analizi ile nanoyapıların bileşimi incelenmiş ve kusurlu yapıda oldukları anlaşılmıştır. UV-VIS Spektrofotometre (Ultraviole-Visible Spectrophotometer) ile absorbsiyon ölçümleri yapılmış ve bu ölçümleri kullanarak nanoyapıların yasak bant aralığının küresel ZnO için 3.11 eV, çiçekli ZnO için 3.12 eV ve ZnS için 3.64 eV olduğu hesaplanmıştır. Nanoyapılar, gözenekli p tipi silisyum altlık üzerine döndürme kaplama yöntemi ile farklı kalınlıklarda ince film olacak şekilde kaplanmıştır. Kaplandıktan sonra elektriksel ve fotovoltaik özellikleri incelenmiştir. Elde edilen deneysel sonuçların karşılaştırılmasıyla, örneklerin fotovoltaik özelliklerinin film kalınlığına bağlı olarak değiştiği belirlenmiştir.Sonuç olarak ZnS ve n tipi ZnO nanoyapıları sol-jel metoduyla sentezlenip, fotovoltaik özellikler gösterdikleri belirlenmiştir. In this study, zinc sulphide (ZnS) and n type zinc oxide (ZnO) nanostructures have been synthesized and have been deposited on p type porous silicone to investigate the photovoltaic properties.The morphology of the synthesized structures has been investigated via Scanning Electron Microscopy (SEM) and it is determined that the structures are in nanoscale. Energy Dispersive Spectroscopy (EDS) has been used to investigate composition of the synthesized structures, and it is determined that they have defects. The absorption measurements have been performed by UV-VIS Spectrophotometer. Based on these absorption measurements, the band gaps of the nanostructures have been calculated 3.11 eV for spherical ZnO, 3.12 eV for flowers ZnO and 3.64 eV for ZnS. Nanostructures have been deposited to get thin films in different thicknesses by using spin coating method on porous p type silicone substrate. Thereafter, photovoltaic and electrical properties have been investigated. According to the obtained experimental results, it is determined that the photovoltaic properties of the sample depend on the film thickness.Consequently, ZnS and n type ZnO nanostructures have been synthesized by Sol-gel method and then it is found that they have photovoltaic properties.
Collections