Talyum galyum disülfid (TlGaS2) ince filmlerinin dielektrik özelliklerinin incelenmesi

Abstract

İnce filmler, elektronik devre cihazlarındaki yarıiletken aletlerin yapımında, optik sistemlerde ve kayıt cihazlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bu nedenle bulk halde bulunan TlGaS2, (TlSbS2)0.5(TlGaS2)0.5 ve (TlSbS2)0.97(TlGaS2)0.03 katkılı bileşikleri termal buharlaştırma yöntemi kullanılarak ince film formunda örnekler elde edildi. Hazırlanan bu örneklerin kapasitesi ve kayıp faktörü oda sıcaklığında frekansa, kalınlığa ve katkı oranına bağlı olarak ölçüldü. Ölçülen kapasite ve kayıp faktörlerinden faydalanarak dielektrik kaybı, dielektrik sabiti ve değişken elektrik alan iletkenliği hesaplandı. Son olarak ölçülen ve hesaplanan dielektrik datalar kalınlığa, frekansa ve katkı oranına bağlı olarak verdikleri cevaplar incelenmiştir.

Thin films are widely used in the manufacture of semiconductor devices, electronic circuit devices, optical systems and recording devices. Therefore, thin film form samples were obtained by using thermal evaporation of additive compunds in form TlGaS2, (TlSbS2)0.5(TlGaS2)0.5 ve (TlSbS2)0.97(TlGaS2)0.03 the capacity and loss factor of these samples were measured at room temperature depending on frequency, thickness and additive ratio. Dielectric loss, dielectric constant and variable electric field conductivity were calculated using the mesaured samples. Finally, the dielectric data obtained from the measured and calculated samples were analyzed according to thickness, frequency and contribution ratio.