Farklı sabit akım uygulayarak elde edilen p-Si/anodik oksit/Al yapılarında arayüzey durum yoğunluklarının araştırılması

Abstract

II ÖZET Bu çalışmada, (100) yönlü p-tipi ve özdirenci 14-26 Q.cm olan silisyum tek kristali kullanıldı. Bu kristalden dört örnek (a,b,c,d) hazırlandı. Kristallerin parlatılmış yüzü sabit akım koşulları altında anodik oksidasyon yöntemi ile oksitlendi. Anodik oksidasyon işleminde 1:1 hacimde sulandırılmış sodyum dihidrojen ortofosfat (NaH2P04.2H20) ile dietilen glikol (C4H10O3) karışımından elde edilen çözelti kullanıldı. Anodik oksidasyon işlemi sırasında 15 saniyede bir yarıiletken üzerinden geçen gerilim değeri okundu. Gerilim-zaman grafikleri çizildi. Oksitlemiş örnekler vakum sistemi kullanılarak yaklaşık 10`5 Torr'luk basınç koşulu altında alüminyum kaplandı. imal edilen Al/anodik oksit/p-Si yapılarının oda sıcaklığında kapasite- gerilim değerleri ölçüldü ve ilgili grafikler çizildi. İdeal kapasite-gerilim eğrileri herbir örnek için çizildi ve deneysel eğri ile karşılaştırıldı. Bu iki eğri arasındaki sapmadan yararlanarak arayüzey durumları incelendi.

Ill SUMMARY In this study, (100) oriented, p-type and resistivity of 14-26 Q.cm of single crystal of silicon was used. Four samples (a,b,c,d) were prepared from this crystal. The polished faces of the crystals were oxidized by anodic oxidation method under constant current conditions. The solution which was prepared with the mixture of 1:1 (v/v) aqueous sodiumdihydrogen orthophosphate (NaH2P04.2H2O) and diethilen gliool (C4H10O3) was used in the anodic oxidation procedure. During the anodic oxidation precedure, the voltage value over the semiconductor was measured for every 15 seconds. The voltage values against time were plotted The oxidized samples were coated with aluminium in the vacuum chamber system under the pressure of 10`5 Torr. Ideal capacity-voltage curves were plotted for each samples and they were compared with the experimantal curves. The surface states of the samples were investigated by comparing the differences between the ideal and experimantal curves. As a result, Al/ anodic oxide /p-Si structures obtained from the sarnies a, c, d showed ionic characteristic hysteresis, and b-sample showed electronic characteristic hysteresis.