Schottky diyotlar ve bazı elektriksel parametrelerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, (100) yönelimine sahip, özdirenci 110?cmolan pSikristallerikullanıldı. Etil alkolde Quercetin çözülerek hazırlanan 8.27´10 6M'lık çözeltiden pSiüzerine damlatılarak ve çözücünün buharlaştırılması pSi/Quercetin/Al Schottky engeldiyotu oluşturuldu. pSi/Quercetin/Al Schottky engel diyotumuzun elektronik vearayüzey durum yoğunluk dağılım özellikleri oda sıcaklığında akımgerilim(IV)'denelde edildi. (IV)grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü.lnIVgrafiği kullanılarak idealite faktörü 1,49 ve engel yüksekliği 0.84eV olarakhesaplandı. Cheung fonksiyonları kullanılarak diyotumuz için dV/d(lnI)Ive H(I)Igrafikleri çizildi. dV/d(lnI)Igrafiğinden seridirenç 3,23MW ve idealite faktörü 1,68olarak hesaplandı. H(I)Igrafiğinden seri direnç 3,24MW ve engel yüksekliği0,82eV olarak hesaplandı.Diyotumuzun (IV)verileri kullanılarak arayüzey durum yoğunluklarının enerjidağılımları hesaplandı. Arayüzey durum yoğunluğu N ss (0,652Ev)eV için5,012x10 13 cm 2eV ?1 ile (0,762Ev)eV için 3,206x10 12 cm 2eV ?1 olarak hesaplandı.Arayüzey durum yoğunluklarının üstel bir şekilde band ortasından valans bandıntepesine doğru arttığı görüldü.

In this study, (100) oriented and 110?cmpSicrystals have been used. pSi/Quercetin/Al Schottky barrier diodes have been fabricated by adding 8.27´10 6Msolutions of the Quercetin in etanol on top of pSisubstrates and then evaporatingthe solvent. The electronic and interface state density distribution properties wereobtained from the current?voltage (I?V) of pSi/Quercetin /Al Schottky barrier diode(SBD) at room temperature. From the IVgraphics seen that this structure showedrectifying behavior.İdeality factor and barrier height were calculated by InIVgraph plots as 1.49,0.84 eV. dV/d(lnI)Iand H(I)Igraphics drawed by using Cheung functions. Seriesresistance and ideality factor were calculated as 3.23MW, 1.68 respectively by usingdV/d(lnI)Igraphics. Series resistance and barrier height calculated 3.24MW, 0.82eVrespectively by using H(I)Igraphics.Energy distributions of interface state densities of our diode were calculatedusing IVdata. İnterface state densities, Nss were calculated 5.012x10 13 cm 2eV ?1 for(0.652Ev)eV ve 3.206x10 12 cm 2eV ?1 for (0.762Ev)eV. The interface state densitieshave exponential rises with bias from the midgaptowards the top of the valence band