Metal/p-InP/metal Schottky kontakların akım-kapasite-gerilim karakteristiklerinin metal iş fonksiyonuna bağımlılığının incelenmesi

Abstract

p-Inp yarıiletkenini kimyasal olarak temizledik.Omik kontakiçin,yarıiletkenin mat tarafına Zn/Au buharlaştırıldı.Daha sonra,Schottky kontaklar için kullandığımız Zn, Ag, Au, Al, Ti, Cu, Fe, In, Pb ve Sn metalleri benzer temizlik işlemlerinden geçirildikten sonra omik kontaklı p-InP numunelerin parlak yüzlerine vakum ortamında buharlaştırılarak Schottky kontaklar yapıldıiAyrıca, Örnek olması bakımından, Ti/p-InP/ZnAu yapısının numune sıcaklığına bağlı olarak 20K-400K aralığında I-V ve C-V karakteristikleri elde edildi.

An omic contact on the back side of the p-type InP is formed by sequentially evaporating Zn and Au layers on InP then;Zn, Ag, Au, Al, Ti, Cu, Fe, In, Ni, Pb, and Sn metals for Schottky contacts have been evaporated as dots with diamater of about 1 mm on the front of p-InP.Furthermore, the current-voltage (I-V) characteristics of Ti/p-InP Schottky diodes have been measured in a wide temperature range with a temperature step of 20 K, as an example.