Organik/inorganik yapıların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

Abstract

Bu çalı?mada, Al/Alpc(aluminium phtalocyanine)/p-Si yapısının Schottky diyotuüretildi ve bu diyotun 80-300K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklar için akım-voltaj (I-V) veoda sıcaklığında kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri alındı. Akım-voltaj ölçümlerdenyararlanarak diyodun idealite faktörü (n), sıfır beslem engel yüksekliği (?B0) ve doyum akımıdeğerleri hesaplandı. I-V ölçümleri -2V ile +2V gerilim aralığında 20 mV adımla yapıldı. Nordefonksiyonları yardımıyla seri direnç (Rs) değerleri hesaplandı. Diyotun idealite faktörü (n) veseri direnç (Rs) sıcaklığa önemli ölçüde bağlı olup, artan sıcaklıkla azaldığı ,engel yüksekliğininde artan sıcaklıkla arttığı belirlendi.C?V grafiğinden de anlaşılacağı gibi diyotun ters beslemde kapasite değerleri dahaküçük değerler olarak gözlenirken düz beslemde gerilim arttıkça kapasitenin arttığıgözlenmiştir.

In this study, the Al/Alpc(aluminium phtalocyanine)/p-Si Schottky diode was producedand the I-V measurements of this diode were taken at the temperature range of 80-300K fordifferent temperatures. C-V measurement of this diode were taken at the room temperature (300K).Using these measures, the ideality factor (n), zero-bias barrier height (?B0), saturationcurrent (I0) of the diode were calculated. The I-V measurement was done with 20 mV stepsbetween -2V and +2V. By the Norde function, series resistance (Rs) was calculated. It wasfound that, particularly, the ideality factor (n) and series resistance (Rs) of the diode depend onthe temperature, and it decreases with increasing temperature. It was determined that the barrierheight increases when the temperature increases.As shown by C?V graph, the capacitance of diode increases with increasing positivevoltage and decreases with increasing negative voltage.