Search
Now showing items 1-2 of 2
Farklı sabit akım uygulayarak elde edilen p-Si/anodik oksit/Al yapılarında arayüzey durum yoğunluklarının araştırılması
(2018-08-06)
II ÖZET Bu çalışmada, (100) yönlü p-tipi ve özdirenci 14-26 Q.cm olan silisyum tek kristali kullanıldı. Bu kristalden dört örnek (a,b,c,d) hazırlandı. Kristallerin parlatılmış yüzü sabit akım koşulları altında anodik ...
Metal/yarı iletken (MS) ve metal/oksit/yarı iletken (MIS) Pb/p-Si ve Pb/n-Si kontakların karakteristik parametreleri ve arayüzey hallerinin enerji dağılımının belirlenmesi
(2018-08-06)
Ill ÖZET Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 400 um kalınlıklı ve direnci 5-10 Qcm arasında olan n ve p-tipi Silisyum yarıiletken kristali kullanıldı. Amacımız, Metal/Yarıiletken (MS) ve Metal/Oksit/Yaniletken ...