The preparation of au/al2o3/n-si schottky diodes and the investigation of their electrical properties of as function of frequency

Abstract

Bu çalışmada, Au/Al2O3/n-Si (MIS) Schottky diyotları (SDs) hazırlandı ve elektriksel karakteristikleri doğru ve ters ön-gerilim altındaki kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/-V) ölçümleri kullanılarak incelendi. Kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/-V) ölçümleri 3kHz-1MHz geniş frekans aralığında ve oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Katkılanan verici atomlarının yoğunluğu (ND), Fermi enerji seviyesi (EF), potansiyel engel yüksekliği (B) ve tüketim tabakasının kalınlığı (WD) gibi temel diyot parametleri ters-öngerilim C-2-V eğrilerinden elde edildi. Ayrıca yapının direnci (Ri), Nicollian ve Brews tarafından geliştirilen admitans metodu ve arayüzey durumlarının yoğunluğu (Nss) düşük-yüksek frekans metodu kullanılarak elde edildi. Elde edilen deneysel sonuçların frekans ve uygulanan gerilime oldukça bağlı olduğu görüldü.

In this study, Au/Al2O3/n-Si (MIS) Schottky diodes (SDs) were prepared and their electrical characteristics were analyzed using capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) measurements under direct and inverse pre-voltage. Capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) measurements were carried out in the wide frequency range of 3 kHz-1 MHz at room temperature. The main diode parameters such as density of additived donor atoms (ND), fermi energy level (EF), potential barrier height (B), consumption layer thickness (WD) were obtained from inverse pre-voltage C-2-V curves. In addition, resistance of structure (Ri) was obtained using the admittance method developed by Nicollian and Brews and the intensity of the interface states (Nss) using the low-high frequency method. The obtained experimental results were seen to be highly dependent on frequency and applied voltage.