Show simple item record

dc.contributor.advisorTecimer, Habibe
dc.contributor.authorAlper, Mehmet Akif
dc.date.accessioned2020-12-06T11:20:34Z
dc.date.available2020-12-06T11:20:34Z
dc.date.submitted2012
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/99113
dc.description.abstractBu çalışmada katkısız ve katkılı organik arayüzey (PVA) tabakalı çok sayıda Au/n-GaAs Schottky engel diyotları (SBDs) hazırlandı. Hazırlanan diyotların temel elektriksel parametreleri olan sıfır-beslem potansiyel engel yüksekliği (?Bo), idealite faktörü (n), seri direnç (Rs) ve doyma akımı (Io) oda sıcaklığındaki akım-voltaj (I-V) ölçümleri kullanılarak elde edildi. Bu yapıların Rs değerleri Ohm yasası, Norde metodu ve Cheung fonksiyonları kullanılarak hesaplandı ve bu değerlerin birbiriyle uyum içinde olduğu görüldü. Polivinil alkol (PVA)' den yapılmış organik arayüzey tabakasının bir metal (Zn) ile katkılanarak diyotun performansı üzerine etkisi araştırıldı. Deneysel sonuçlar, Zn katkılı PVA arayüzey tabakasının Io, n, Rs değerlerini düşürdüğü; ?Bo ve diyotun iletkenliğini arttırdığı gösterdi. Bu sonuçlar, katkılı PVA arayüzey tabakanın diyotun performansını iyileştirdiğini göstermektedir.
dc.description.abstractIn this study, Au/n-GaAs Schottky barrier diodes (SBDs) with and without metal doped organic interfacial layer (PVA) were fabricated. The main electrical parameters such as zero-bias barrier height (?Bo), ideality factor (n), series resistance (Rs) and reverse-saturation current (Io) of these diodes were obtained using current-voltage (I-V) characteristics at room temperature. The Rs values of these diodes were obtained by using Ohm law, modificated Norde method by Bohlin and Cheung functions. The obtained values of Rs for three methods are agreement each other. In addition, the effect of Zn doped PVA layer on diode performance was investigated. The obtained results show that Zn doped PVA layer decrease the Io, n, Rs values and increase ?Bo and conductivity values. It is clear that the dopedinterfacial PVA layer has improved the diode performance.en_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectElektrik ve Elektronik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectElectrical and Electronics Engineeringen_US
dc.subjectEnerjitr_TR
dc.subjectEnergyen_US
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleOrganik arayüzey tabakaya sahip Au/n-GaAs schottky engel diyotların akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi
dc.title.alternativeThe investigation of current-voltage characteristics of Au/n-GaAs schottky barrier diodes with organic interfacial layer
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentElektrik-Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı
dc.subject.ytmPolyvinyl alcohol
dc.subject.ytmSchottky diodes
dc.subject.ytmSchottky barriers
dc.identifier.yokid437370
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityKARABÜK ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid316273
dc.description.pages66
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/openAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/openAccess