Show simple item record

dc.contributor.advisorAnutgan, Mustafa
dc.contributor.advisorBelenli, İbrahim
dc.contributor.authorEvcin Baydilli, Esra
dc.date.accessioned2020-12-06T11:15:27Z
dc.date.available2020-12-06T11:15:27Z
dc.date.submitted2014
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/98959
dc.description.abstractBu tez çalışmasında elektriksel ve yüzey morfolojik özellikleri yüksek Bi-2212 ince film elde etmek için uygun üretim parametrelerinin belirlenmesi amaçlanmıştır. Kaplama yöntemi olarak kullanılan DC püskürtme yöntemi için DC güç, alttaş sıcaklığı ve kaplama süresi parametreleri incelenmiştir. Ayrıca kaplanan filmlerin uygun tavlama parametreleri belirlenmiştir.Filmler 15W DC güç ve 500 °C alttaş sıcaklığı hem 2 saat hem de 0.5 saat sürede üretilmiştir. Kaplanan filmler 845 °C, 850 °C, 855 °C, 856 °C, 858 °C, 860 °C, 862 °C, 864 °C, 865 °C, 870 °C ve 880 °C sıcaklıklarında tavlanarak, 700 °C'de sıcaklığı dindirilerek uygun tavlama sıcaklığı belirlenmesi hedeflenmiştir. Ayrıca, 860 °C'de tavlanan filmler 700 °C, 740 °C, 780 °C, 800 °C, 820 °C, 840 °C ve 860 °C'de sıcaklığı dindirilerek dindirme sıcaklığının filmler üzerindeki etkisi incelenmiştir.Kaplanan filmlerin 0,1 mA akım ile direnç-sıcaklık ölçümü yapılmıştır. Ayrıca XRD ölçümleri ile filmlerin kristal yapısı, SEM görüntüleri ile de yüzey morfolojisi incelenmiştir.
dc.description.abstractIn this thesis, it was aimed to determine the optimum production parameters in order to obtain Bi-2212 thin films that have high quality electrical and surface morphology properties. DC power, plate temperatures and deposition time parameters were investigated for DC sputtering which was used as the deposition method. Moreover, optimum annealing parameters were determined.Thin films were produced at 15W DC power and 500 °C plate temperature in both 2 hours and 0.5 hour. Produced films were annealed at different temperatures, after that, they were quenched at 700°C in order to determine the optimum annealing temperature. In addition, annealed films at 860 °C were quenched at different temperatures to investigate the effect of quenching temperature for all films.Deposited films were used for resistance-temperature measurements at 0.1 mA. Besides, crystal structure and surface morphology were investigated with XRD measurements and SEM images, respectively.en_US
dc.languageEnglish
dc.language.isoen
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectElektrik ve Elektronik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectElectrical and Electronics Engineeringen_US
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleFabrication and characterization of Bİ-2212 superconducting seramic thin films
dc.title.alternativeBİ-2212 seramik süperiletken ince filmlerin üretimi ve karakterizayonu
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentElektrik-Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı
dc.identifier.yokid10030930
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityKARABÜK ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid355476
dc.description.pages72
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/openAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/openAccess