Bi-Se ince filmlerin üretimi ve karakterizasyonu

Abstract

BiSe ince filmlerin farklı alt taban üzerine büyütülmesinde kimyasal depolama metodu kullanılmıştır. Üretilen ince filmler cam, PMMA, ITO ve Si wafer alt tabaka malzemeleri üzerine büyütülmüştür. İnce filmlerin üretiminde depolama zamanı, depolama sıcaklığı ve pH değerleri sabit tutulmuştur. İnce filmlerin yapısal, yüzeysel, optiksel, elektriksel ve manyetik özellikleri sırası ile XRD, SEM, EDX, AFM, yüzey gerilimi ve temas açısı ölçüm cihazı, UV-VIS spektrofotometresi ve Hall etkisi ölçüm cihazı ile analizleri yapılmıştır. BiSe ince filmlerinin kristal yapısı ve parametreleri, tane boyutu, dislokasyon yoğunluğu, birim alan başına kristallenme sayısı, yüzey morfolojisi ve bileşim analizi, yüzey gerilimleri, optik özellikleri, taşıyıcı konsantrasyonları, taşıyıcı tipleri, Hall mobiliteleri ve voltajları, I-V karakteristikleri ve magnetodirenç değişimleri incelenmiştir.

Chemical bath deposition method has been used for growing BiSe thin films on various substrate. The produced thin films has been grown on substrates as glass, PMMA, ITO and Si wafer. Deposition time, deposition temperature and pH are kept to be constant during the production of thin films. The structural, surface morphology, optical, electrical and magnetic properties of thin films are examined by XRD, SEM, EDX, AFM, surface tension and contact angle device, UV-VIS spektrofotometer and Hall effect device, respectively. Crystal structure and parameters, crystal size, dislocation density, crystallization amount per area, structural morphology and composition analysis, surface tensions, optical measurements, carrier concentrations, carrier types, Hall mobilities and voltages, I-V characteristics and magnetoresistance changes of the BiSe thin films were examined.