Show simple item record

dc.contributor.advisorErtap, Hüseyin
dc.contributor.authorMak, Ali Kemal
dc.date.accessioned2020-12-06T09:58:25Z
dc.date.available2020-12-06T09:58:25Z
dc.date.submitted2017
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/96827
dc.description.abstractBu tez çalışmasında, saf ve bor katkılı Galyum Selenit (GaSe) kristalleri Bridgman yöntemiyle büyütüldü ve elde edilen kristallerin yapısal, optik ve doğrusal olmayan optik özellikleri XRD, UV-VIS ve açık yarık Z-tarama yöntemleri ile araştırıldı. X-ışını kırınımı sonuçlarından, saf ve bor katkılı GaSe kristallerinin hekzagonal yapıya sahip oldukları ve örgü sabitlerinin değişmediği görüldü. Ancak, XRD analizlerinden pik şiddetlerinde küçük de olsa değişimler olduğu gözlendi. Saf ve bor katkılı GaSe kristallerinin optik soğurma ölçümleri oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Bütün kristallerin yasak enerji bant aralıkları yaklaşık 2.004-2.007 eV olarak bulundu. İncelenen bütün kristallerin doğrusal olmayan soğurma katsayılarının, ışının şiddetinin artmasıyla arttığı gözlendi. Ayrıca, doğrusal olmayan soğurma katsayılarının bor konsantrasyonu bağlı olarak değiştiği gözlendi. Second Harmonic Generation (SHG) sinyalinin konumunun, bor konsantrasyonun artmasıyla maviye kaydığı gözlendi.v
dc.description.abstractIn this thesis, undoped and boron doped gallium selenide crystals have been grown by Bridgman method and structural, optical and nonlinear optical properties of crystals have been investigated by XRD, UV-VIS and open aperture Z-scan methods. XRD analyses showed that both undoped and boron doped crystals had hexagonal structure and lattice parameters did not change with boron doping. However, some variations were observed in the XRD peak intensities with boron doping. The optic absorption measurements were conducted at room temperature. Band gaps of studied crystals were found to be in the 2.004-2.007 eV range. The nonlinear absorption coefficients of all crystals were found to increase with increasing light intensity. The nonlinear absorption coefficients were also varied with boron concentration. The position of the Second Harmonic Generation (SHG) signal was found to blue shift with increasing boron concentration.en_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleSaf ve bor katkılı galyum selenit (GaSe) tek kristallerinin bridgman yöntemiyle büyütülerek yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
dc.title.alternativeGrowth of undoped and boron doped gallium selenide (GaSe) single crystals by bridgman method, investigation of structural and optical properties
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentFizik Anabilim Dalı
dc.identifier.yokid10156023
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityKAFKAS ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid478735
dc.description.pages73
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/openAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/openAccess