Show simple item record

dc.contributor.advisorMutlu, İbrahim Halil
dc.contributor.authorAkyüz, Hatice
dc.date.accessioned2020-12-04T16:29:48Z
dc.date.available2020-12-04T16:29:48Z
dc.date.submitted2008
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/92429
dc.description.abstractBu çalışmada metal alkoksitler kullanılarak sol-jel yöntemiyle BaTiO3, SrTiO3, BaZrO3, ZnTiO3, ZrTiO4, ZrO2, La1/3Ca2/3MnO3, La1/3Ba2/3MnO3 ve La1/3Sr2/3MnO3' ın kimyasal çözeltileri hazırlandı. Daha sonra bu çözeltiler Ag, çelik, Cu ve cam alttaşlar üzerine daldırarak kaplama yöntemiyle kaplanarak ince filmler üretildi. İnce filmler 600ºC-700ºC sıcaklıklarda tavlandı. İnce filmlerde kristal yapının oluştuğu X ışınları kırınımı cihazı ile tespit edildi. Üretilen filmlerin kalınlıkları spektroskopik elipsometre ve mikrometre cihazıyla ölçüldü. Film kalınlıkları 40-80 µm ve 300-700 nm olarak bulundu. BaTiO3, SrTiO3, BaZrO3, ZnTiO3, ZrTiO4, ZrO2, La1/3Ca2/3MnO3, La1/3Ba2/3MnO3 ve La1/3Sr2/3MnO3 ince filmlerin kapasitansları bir kapasitometre aracılığıyla ölçüldü. Bu filmlerin yüzey alanları da hesaplanarak dielektrik sabitleri kapasitans ölçüm sistemi kullanılarak bulundu.
dc.description.abstractIn this study chemical solutions of BaTiO3, SrTiO3, BaZrO3, ZnTiO3, ZrTiO4, ZrO2, La1/3Ca2/3MnO3, La1/3Ba2/3MnO3 and La1/3Sr2/3MnO3 were prepared by sol?gel method using metal alkoxides. And these solutions were coated on Ag, steel, Cu and glass by dipcoating method to produce thin films. Thin films were annealed at 600ºC-700ºC temperatures. X-ray diffraction (XRD) showed that the crystal structure was occured. Thickness of thin films was measured by spectroscopic elipsometer and micrometer. Thickness of thin films was found as 40-80 µm and 300-700 nm. Capacitance of BaTiO3, SrTiO3, BaZrO3, ZnTiO3, ZrTiO4, ZrO2 , La1/3Ca2/3MnO3, La1/3Ba2/3MnO3 and La1/3Sr2/3MnO3 thin films were measured by capacitometer. And coated surface areas were calculated and dielectric constant of these films were found using measurement system of capacitance.en_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleSol-jel yöntemiyle hazırlanan seramik ince filmlerin dielektrik özellikleri
dc.title.alternativeDielectric properties of ceramic thin films prepared by sol-gel method
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentFizik Anabilim Dalı
dc.subject.ytmThin films
dc.subject.ytmDielectric properties
dc.subject.ytmSol-gel method
dc.identifier.yokid330061
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityHARRAN ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid237401
dc.description.pages93
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/openAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/openAccess