Show simple item record

dc.contributor.advisorFiat Varol, Songül
dc.contributor.authorArslan, Emre
dc.date.accessioned2020-12-04T13:47:44Z
dc.date.available2020-12-04T13:47:44Z
dc.date.submitted2018
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/87954
dc.description.abstractBu çalışmada n-ZnO/p-GaN ışık yayan diyotun (LED) fabrikasyonu gerçekleştirilmiştir. Diyotun optik ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. p- tipi yarıiletken elde etmek amacıyla magnezyum (Mg) katkılı GaN filmleri Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) tekniği ile safir (Al2O3) alttaş üzerinde büyütülmüştür. n- tipi yarıiletken malzeme oluşturmak için katkısız ZnO ince filmler kullanılmıştır. Alttaş üzerine Saçtırma Tekniği (Sputter) kullanılarak p-n eklemi elde edilmiştir.p- tipi GaN ve n- tipi ZnO katmanlar üzerine ışık LED yapımını tamamlamak için altın (Au) kontaklar yapılmıştır.Çalışma kapsamında, X-ışınları kırınımı (XRD), ZnO filminin fotolüminesans (PL) eğrilerinin tespiti, atomik kuvvet mikroskobu (AFM) görüntüleri, LED'in elektrolüminesans (EL) ve akım-voltaj (I-V) analizleri yapılmıştır.Anahtar kelimeler: LED, MOCVD, Saçtırma Tekniği (Sputter), ZnO.
dc.description.abstractIn this study the fabrication of n-ZnO/p-GaN light emitting diode (LED) was completed. The optical and electrical specifications of diod were analyzed. We expanded magnesium (Mg) doped GaN films over sapphire (Al2O3) substratum by using Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) technique to obtain p-type. n-type semiconductor material was obtained by using unadultered ZnO thin films. p-n junction was obtained by Sputter technique over this layer.Gold (Au) contacts were built to complete LED structure over p- type GaN and n- type ZnO layers.In this study, analysis of X-ray diffraction (XRD), determination of photoluminescence (PL) curves of ZnO, images of atomic force microscopy (AFM), electroluminescent (EL) and current-voltage (I-V) of LED were completed.Keywords: LED, MOCVD, Sputter, ZnO.en_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectEnerjitr_TR
dc.subjectEnergyen_US
dc.titleÇinko oksit (ZnO) tabanlı ultraviyole (UV) ışık yayan diyotların elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
dc.title.alternativeInvestigation of electrical and optical properties of ZnO based ultraviolet light emitting diodes
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentEnerji Sistemleri Mühendisliği Anabilim Dalı
dc.identifier.yokid10182925
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityGİRESUN ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid494936
dc.description.pages73
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/embargoedAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/embargoedAccess