Modeling a thin-film transistor (TFT)

Abstract

Bu tez çalışmasında, ince film transistorların (TFT) çalışma prensipleri ve statik akım – gerilim karakteristiklerini çalıştık. TFT'lar yoğunlukla düz panel göstergelerinde görüntü gözelerini (piksel) sürmekte kullanılmaktadır. Öncelikle Amorf İndiyum Galyum Çinko Oksit (a-IGZO) TFT'lerin özelliklerini analiz ettik. Daha sonra genel olarak TFT'lerin özel olarak da a-IGZO TFT'lerin statik akım – gerilim davranışlarını kestirebilmek için geliştirilen analitik modelleri inceledik. a-IGZO TFT'lerin statik elektriksel davranışlarını kestirmek ve bunlar yeni devrelerde kullanıldığında, bu devrenin davranışını analiz ve simüle edebilmek amacıyla yeni bir analitik model geliştirdik. Bu modelin tahminlerini ölçülen değerler ve diğer modeller ile kıyasladık.

In this thesis, we studied the working principles and modeling the static current – voltage characteristics of a Thin Film Transistor (TFT). TFTs are extensively used in flat panel displays for switching the pixels. We first analyzed the characteristics of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide (a-IGZO) TFTs, and reviewed the analytic models to estimate the static electrical behavior of the TFTs in general and the a-IGZO TFT, in particular. We developed a new analytical model for predicting the static electrical behavior of the a-IGZO TFTs and for analyzing and simulating the new electrical circuits when these transistors are used to form new circuits. Finally, we compared the predictions of this model with the measured data and other models.