Püskürtme yöntemiyle Cds/CdTe ince film güneş pilleri yapımı

Abstract

oz Bu çalışmada püskürtme yöntemiyle hazırlanan CdS ve CdTe ince filmleri ile bunlardan oluşturulan CdS / CdTe ince film güneş pilleri incelendi. CdS için optik geçirgenlik % 80 civarında elde edildi. 0.15 - 0.45 u,m kalınlığındaki CdS ince filmlerinin özdirençleri 0.5 - 0.8 O- cm arasında bulundu. CdTe için ölçülen optik geçirgenliğin % 1.3 - % 10 arasında olduğu gözlendi. 0.4 - 2.02 im kalınlığındaki CdTe ince filmlerin özdirençlerinin 5.4 - 116 D. cm arasında değiştiği bulundu. Hazırlanan CdS / CdTe ince film güneş pillerinin açık devre gerilimlerinin ve kısa devre akımlarının çok düşük olması nedeniyle I-V eğrisi çizilemedi. Anahtar kelime : CdS, CdTe

VI ABSTRACT In this work CdS and CdTe thin films prepared by spray pyrolysis and the CdS / CdTe thin film solar cells produced from these films were studied. For CdS the optical tranmission were obtained about 80 %. The resistivities of CdS thin films having 0. 1 5 - 0.45 um thickness were found between 0.5 - 0.8 Q. cm. For CdTe the measured optical transmissions were varied between 1.3 % - 10 %. The resistivity of CdTe thin films having thicknesses of 0.4 - 2.02 urn varied between 0.5 - 116 Q-cm Because of the very low open circuit voltages and short circuit currents of the prepared CdS / CdTe thin film solar cells, the I-V curve was not drawn. Key Words: CdS, CdTe