Püskürtme yöntemiyle Zno/CdTe ince film güneş pilleri yapımı

Abstract

ÖZET PÜSKÜRTME YÖNTEMİYLE ZnO/CdTe İNCE FİLM GÜNEŞ PİLLERİ YAPIMI TÜRKMEN, Abuzer Yüksek Lisans Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Danışmanı: Prof. Dr. Remzi ENGİN Eylül 1999, 40 sayfa Güneş pilleri güneşten veya güneş ışınımına denk ışınım verebilen bir ışık kaynağından aldığı ışınım enerjisini elektrik enerjisine dönüştürebilen aygıtlardır. Bu çalışmada püskürtme yöntemiyle ZnO/CdTe ince film güneş pilleri elde edilmeye çalışılmıştır. Önce püskürtme yöntemiyle, 250-400 °C arasında değişen cam alttaban sıcaklıklarında, ZnO ince filmleri elde edildi. Kalınlıkları 0.2-1 fim arasında değişen ZnO ince filmlerinin optik geçirgenliklerinin 400-800 nm dalgaboylarında %60-%99 arasında, özdirençlerinin ise 15-147 £2.cm arasında olduğu saptandı. CdTe ince filmleri 230-310 °C arasında değişen cam alttaban sıcaklıklarında elde edildi. Kalınlıkları 0.2-5 fxm arasında olan CdTe ince filmlerinin optik geçirgenlikleri, 400-900 nm dalgaboylarında, %0. l-%5 arasında, özdircnçleri ise 7- 1 09 £2. cm arasında bulundu. ZnO/CdTe ince film güneş pili ise elde edilmiş olan ZnO ince film tabakasının bir kısmının üzerine CdTe ince filmi oluşturarak hazırlandı. Oluşturulan ZnO/CdTe ince film güneş pillerinin kısa devre akımları 0.1-0.2 /xA arasında, açık devre gerilimleri ise 32-35 mV arasında ölçüldü. Bu parametreler çok küçük olduğu için pil verimleri hesaplanamadı ve karakteristik I-V eğrileri çizilemedi. Anahtar kelimeler: ZnO ince filmleri, CdTe ince filmleri, ZnO/CdTe ince film güneş pilleri.

ABSTRACT PREPARATION OF ZnO/CdTe THIN FILM SOLAR CELLS BY SPRAY PYROLYSIS TÜRKMEN, ABUZER M. Sc, Physics Supervisor: Prof. Dr. Remzi ENGİN September 1999, 40 pages Solar cells are devices which convert light energy received from the sun or any light source equivalent to the light energy of the sun into the electrical energy. In this study ZnO/CdTe thin film solar cells were prepared by spray pyrolysis. First ZnO thin films were prepared on glass substrates held at temperatures varying between 250 °C-400 °C. The optical transmission at wavelenghts of 400-900 nm and resistivities of ZnO thin films having 0.2-1 ^m thicknesses were obtained between %60-%99 and 15 Q.cm-147 Q.cm, respectively. The CdTe thin films were produced on the glass substrates held at temperatures ranging between 230-3 10 °C. The optical transmissions at wavelengths of 400-900 nm and resistivities of CdTe thin films having 0.2-5 /xm were found between %0.1-%5 and 7 Q.cm-109 Q.cm, respectively. The ZnO/CdTe thin film solar cell was produced by depositing CdTe thin film over a part of ZnO thin film layer. The short circuit currents of ZnO/CdTe thin film solar cells were between 0. 1 [iA and 0.2 /iA while open circuit voltages of these cells were ranged from 32 mV to 35 mV. Since these parameters were too low the cell efficiencies were not calculated and characteristic I-V curves were not drawn. Key words: ZnO thin films, CdTe thin films, ZnO/CdTe thin film solar cells. m