Püskürtme yöntemiyle SnO2/ CdTe ince film güneş pili yapımı

Abstract

ÖZET PÜSKÜRTME YÖNTEMİYLE Sn02/CdTe İNCE FİLM GÜNEŞ PİLLERİ YAPIMI SOY ALP, Fethi Yüksek Lisans Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Danışmanı: Yrd. Doç. Dr Bahri BATI Şubat 2002, 40 sayfa Güneş pilleri güneşten veya güneş ışınımına denk ışınım verebilen bir ışık kaynağından aldığı ışınım enerjisini elektrik enerjisine dönüştürebilen aygıtlardır. Bu çalışmada püskürtme yöntemiyle Sn02/CdTe ince film güneş pilleri elde edilmeye çalışılmıştır. Önce püskürtme yöntemiyle, 300-380 °C arasında değişen cam alttaban sıcaklıklarında, Sn02 ince filmleri elde edildi. Kalınlıkları 0.20-1.50 um arasında değişen Sn02 ince filmlerinin optik geçirgenliklerinin 400-900 nm dalgaboylarında %60-%95 arasında, özdirençlerinin ise 0.24-78 Q.cm arasında olduğu saptandı. CdTe ince filmleri 230-360 °C arasında değişen cam alttaban sıcaklıklarında elde edildi. Kalınlıkları 0.054-1.78 um arasında olan CdTe ince filmlerinin optik geçirgenlikleri, 400-900 nm dalgaboylarında, %1-%10 arasında, özdirençleri ise 16-80 Q.cm arasında bulundu. Sn02/CdTe ince film güneş pili ise elde edilmiş olan Sn02 ince film tabakasının bir kısmının üzerine CdTe ince filmi oluşturarak hazırlandı. Oluşturulan Sn02/CdTe ince film güneş pillerinin kısa devre akımları 0.20-0.35 uA arasında, açık devre gerilimleri ise 20-30 mV arasında ölçüldü. Bu parametreler çok küçük olduğu için pil verimleri hesaplanamadı ve karakteristik I-V eğrileri çizilemedi. Anahtar kelimeler: İnce film, güneş pilleri, Sn02, CdTe, Sn02/CdTe ince film güneş pilleri.

ABSTRACT PREPARATION OF Sn02/CdTe THIN FILM SOLAR CELLS BY SPRAY PYROLYSIS SOY ALP, Fethi M. Sc, Physics Supervisor: Asst. Prof. Dr. Bahri BATI February 2002, 40 pages Solar cells are devices which convert light energy received from the sun or any light source equivalent to the light energy of the sun into the electrical energy. In this study Sn02/CdTe thin film solar cells were prepared by spray pyrolysis. First Sn02 thin films were prepared on glass substrates held at temperatures varying between 300 °C-380 °C. The optical transmission at wavelenghts of 400- 900 nm and resistivities of Sn02 thin films having 0.20-1.50 um thicknesses were obtained between %60-%95 and 0.24 Q.cm -78 Q.cm, respectively. The CdTe thin films were produced on the glass substrates held at temperatures ranging between 230-260 °C. The optical transmissions at wavelengths of 400-900 nm and resistivities of CdTe thin films having 0.054-1.78 nm were found between %1-%10 and 16 Q.cm-80 Q.cm, respectively. The Sn02/CdTe thin film solar cell was produced by depositing CdTe thin film over a part of Sn02 thin film layer. The short circuit currents of Sn02/CdTe thin film solar cells were between 0.20 uA and 0.35 uA while open circuit voltages of these cells were ranged from 20 mV to 30 mV. Since these parameters were too low the cell efficiencies were not calculated and characteristic I-V curves were not drawn. Key words: Thin films, solar cells, Sn02, CdTe, Sn02/CdTe thin film solar cells. in