Show simple item record

dc.contributor.advisorGuliyev, Bahşeli
dc.contributor.authorMurat, Murat
dc.date.accessioned2021-05-08T12:52:10Z
dc.date.available2021-05-08T12:52:10Z
dc.date.submitted2002
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/705081
dc.description.abstractÖZET ON-PARABOLİK YARIİLETKENLERDE SİKLATRON ENERJİSİNİN DAVRANIŞI MURAT, Murat Yüksek Lisans Tezi, Fizik Ana Bilim Dalı Tez Danışmanı: Prof. Dr. Bahşeli GULÎYEV Haziran 2002, 58 sayra Non-parabolik yarıiletken ince filmlerde siklatron rezonans olayı incelenmiştir. Zayıf non-parabolik durum için siklatron enerjisinin film kalınlığına ve mağnetik alana bağlı ifadeleri bulunmuş ve analiz edilmiştir. Bu ifadelere dayanılarak şu sonuçlar elde edilmiştir. Parabolik enerji bantlı maddelerden farklı olarak non-parabolik enerji bantlı yarıiletkenlerde rezonans frekansı film kalınlığına bağlı olarak değişir. Aynca parabolik durumdan farklı olarak non-parabolik durumda rezonans frekansı dış mağnetik alan şiddetinin non-lineer friksiyonudur. Bulunan sonuçlar GaAs ve InP yarıiletkenlere uygulanmıştır. Bu yarıiletkenlerin rezonans frekansının film kalınlığına ve mağnetik alan şiddetine bağlı davranışı incelenmiştir. Anahtar Kelimden Non-parabolik yarıiletken, Siklatron Enerjisi, Siklatron Rezonans Olayı, GaAs, InP.
dc.description.abstractABSTRACT THE BEHAVIOR OF SICLATRON ENERGY IN NON-PARABOLIC SEMI CONDUCTORS MURAT, Murat Msc., Physics Supervisor: Prof. Dr. Bahşeli GULIYEV June 2002, 58 Pages Siclatron resonance has been studied in non-parabolic semi-conductor thin films. Expression which links film thickness and magnetic field of siclatron energy has been found and analyzed for poor non-parabolic situation. Different from parabolic banded matters, resonance frequency changes up to film thickness in non-parabolic energy banded semi-conductors. Also different from parabolic situation, resonance frequency is non-liner functions of external magnetic field intensity in non-parabolic situation. This results which were found has been applied to GaAs and InP semi conductors. Behavior of resonance frequencies of this semi-conductors has been studied up to film thickness and external magnetic field intensity. Keywords: Non-parabolic semi-condictors, siclatron energies, siclatron resonance, GaAs, InP. IIIen_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleNon-parabolik yarıiletken ince filmlerde siklatron enerjisinin davranışı
dc.title.alternativeThe Behavior of siclatron energy in non-parabolic semiconductor
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentDiğer
dc.subject.ytmSiclatron
dc.subject.ytmSemiconductor thin films
dc.identifier.yokid128988
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityYÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid123543
dc.description.pages55
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/embargoedAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/embargoedAccess