Metal/n-Si/Au-Sb schottky diyot yapılarında seri direnç etkisi

Abstract

Bu çalısmada [100] yönelimine sahip, fosfor katkılı, r = 5 ~ 10W-cm özdirençlive mobilitesi = 1450 n ? cm2/Vs olan n-tipi silisyum kristali kullanıldı. Isısalbuharlastırma yöntemiyle Fe, Ni, Cd, Pb, Bi ve Sn metalleri kullanılarak altı farklıSchottky diyot yapısı olusturuldu. Diyotların elektriksel karakteristigini incelemek için,oda sıcaklıgında ve karanlıkta, -1V ile +1V gerilim aralıgında akım-gerilim ölçümleriyapıldı.Nötral bölge direncinin diyotların akım-gerilim karakteristikleri üzerindekietkilerini incelemek için altı farklı metotla idealite faktörü, engel yüksekligi ve seridirenç degerleri hesaplandı. Verilerin incelenmesinden, tüm diyotlar için engelyüksekligi ve seri direnç degerlerinin birbiri ile iyi bir uyum içinde oldugu, ancaküçüncü, dördüncü ve besinci metotlarda idealite faktörü degerlerinin digerlerine göreoldukça düsük ya da yüksek oldugu görülmüstür.

In this work, [100] oriented, phosphororus doped, n-type silicon crystal with aresistivity of r = 5 ~ 10W-cm and mobility of = 1450 n ? cm2/Vs has been used. Sixdifferent Schottky diodes have been fabricated using Fe, Ni, Cd, Pb, Bi and Sn metalsby resistive evaporation method. In order to investigate the electrical characteristics ofthe diodes, current-voltage measurements have been done between -1V and +1Vpotential interval, at room temperature and in the dark.In order to investigate the effects of the notral region series resistance on thecurrent-voltage characteristics of the diodes, ideality factor, barrier height and seriesresistance values have been calculated using six different methods. From theinvestigation of the data, barrier heights and series resistance values have been found tobe in agreement for all the diodes, but the ideality factors evaluated by the third, fourthand fifth methods are seen to have either very low or high values than the others.