V2O5 geçiş metal oksit yarı iletkenlerinin ultrasonik püskürtme tekniği ile üretilmesi ve yapısal, optiksel, elektriksel özelliklerinin incelenmesi
dc.contributor.advisor | Aydoğu, Huriye Senem | |
dc.contributor.author | Köse, Erol | |
dc.date.accessioned | 2021-05-08T09:01:40Z | |
dc.date.available | 2021-05-08T09:01:40Z | |
dc.date.submitted | 2018 | |
dc.date.issued | 2018-11-08 | |
dc.identifier.uri | https://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/661246 | |
dc.description.abstract | Bu çalışmada, Vanadyum pentaoksit (V2O5) filmler, deneysel parametreler ayarlanarak 300 °C - 350 °C - 400 °C - 450 °C alttaş sıcaklıklarında, cam altlıklar üzerinde ultrasonik püskürtme tekniği ile üretilmiştir. Elde edilen yarı iletken ince filmlerin, X-ışını kırınım (XRD) analizleri ve kristal yapıları araştırılmıştır. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanarak ince filmlerin yüzey incelemeleri yapılmıştır. Üretilen filmlerin; yapısal, optik ve elektrik özellikleri alttaş sıcaklığına bağlı olarak nasıl değiştiği incelenmiştir. UV-VIS spektrofotometresi kullanılarak filmlerin, temel optik soğurma ile optik özellikleri araştırılmıştır. Filmlerin özdirençleri, dört nokta uç metodu ile ölçüldüğünde, öz direncin sıcaklığın artışıyla azaldığı gözlendi. Bu analizler sonucunda; film üretmek için kullanılan alttaş sıcaklığının filmlerin elektriksel, optiksel ve yapısal özelliklerini etkilediği sonucuna varılmıştır. Deneysel olarak yaptığımız bu çalışma sonucunda elde ettiğimiz bulgular ile literatürdeki çalışmalar karşılaştırılarak benzerlik ve farklılıklar yorumlanmıştır. | |
dc.description.abstract | In this study, vanadium pentoxide (V2O5) films were produced by ultrasonic spraying technique on glass substrates at 300 °C - 350 °C - 400 °C - 450 °C subsoil temperatures by setting experimental parameters. X-ray diffraction (XRD) analyzes and crystal structures of the obtained semiconductor thin films were investigated. Surface investigations of thin films were made using scanning electron microscopy (SEM). Produced films; structural, optical and electrical properties of the samples were determined depending on the substrate temperature. By using UV-VIS spectrophotometer, the optical properties of the films were investigated by basic optical absorption. The resistivities of the films were observed to decrease with increasing resistivity temperature when measured by the four-point method. As a result of these analyzes; the effect of the substrate temperature used to produce the film on the electrical, optical and structural properties of the films has been reached. Differences and similarities in the literature in the literature which we have experimentally made to achieve this study. | en_US |
dc.language | Turkish | |
dc.language.iso | tr | |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
dc.rights | Attribution 4.0 United States | tr_TR |
dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |
dc.subject | Fizik ve Fizik Mühendisliği | tr_TR |
dc.subject | Physics and Physics Engineering | en_US |
dc.title | V2O5 geçiş metal oksit yarı iletkenlerinin ultrasonik püskürtme tekniği ile üretilmesi ve yapısal, optiksel, elektriksel özelliklerinin incelenmesi | |
dc.title.alternative | V2O5 transition metal oxide semiconductors produced byultrasonic spraying technique and investigation of structural,optical, electrical properties | |
dc.type | masterThesis | |
dc.date.updated | 2018-11-08 | |
dc.contributor.department | Fen Bilimleri Ana Bilim Dalı | |
dc.identifier.yokid | 10193431 | |
dc.publisher.institute | Fen Bilimleri Enstitüsü | |
dc.publisher.university | KÜTAHYA DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ | |
dc.identifier.thesisid | 516805 | |
dc.description.pages | 78 | |
dc.publisher.discipline | Katıhal Fiziği Bilim Dalı |