Nano boyutta titanyum diborür katkılı sıcak preslenmiş hegzagonal bor nitrür-titanyum diborür kompozitlerinin özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada 2250 °C sinterleme sıcaklığında, 13 MPa basınç altında, buharlaştırma potalarının klasik bileşimi olan ağırlıkça yaklaşık %55-%45 h-BN ve TiB2 miktarları korunup, yapıya ağırlıkça %5, %10 ve %15 nano boyuta getirilmiş TiB2 katılarak, kompozit malzemenin mekanik ve elektriksel özellikleri üzerine etkisi incelenmiştir. Artan nano boyutta TiB2 miktarı ilavesi kompozit malzemenin bağıl yoğunluk ve kırılma mukavemeti değerlerinde düşüş eğilimi gözlenmiştir. 4 nokta direnç ölçüm metodu ile yapılan elektriksel direnç ölçümlerine göre, artan nano boyuta getirilmiş TiB2 ilavesi ile özgül direnç değerlerinde artış saptanmıştır. Elektron demeti buharlaştırma sisteminde yapılan alüminyum uçurma deneylerinde, %5 nano boyutta TiB2 ilaveli kompozit malzemeden yapılmış buharlaştırma potası gerek düşük akımlarda ve geniş akım aralığında çalışmayı mümkün kılması gerekse de akım ? kaplama hızı arasında doğru orantı sağlaması sayesinde diğerlerine göre üstünlük sağlamıştır.

In this study, saving the classical 55% - 45% h-BN - TiB2 by weight composition of evaporation boats, composite material was reinforced with 5%, %10 and 15% nano size TiB2 by weight in order to investigate the changes in mechanical and electrical properties of the composite material at 2250 °C sintering temperature and 13 MPa pressure. Due to increasing nano size TiB2 reinforcement, decrease tendency was observed in fracture strength and relative density. 4 point probe electrical resistivity measurements showed that, specific resistance values of the composite have a direct proportion with nano size TiB2 by weight. At last, 5% nano size TiB2 reinforced composite material provided the best properties such as; workability in wide current interval at low currents and obtaining direct proportion between current ? coating rate according to aluminium emission experiments carried out in electron beam evaporation system.