GaInP / GaAs kuantum kuyulu yapılarda alaşım düzensizliği ve arayüzey pürüzlülüğü saçılması

Abstract

Bu çalışmada, GaInP/GaAs katkısız tekli kuantum kuyulu yapıda elektronHall mobilitesi üzerine alaşım ve ara yüzey pürüzlülüğünden (IFR) ileri gelensaçılma mekanizmalarının etkisi teorik olarak araştırılmıştır. Teorikhesaplamalar, literatürdeki yayınlanmış verilere uygulanmıştır.Teori ile deneysel sonuçları karşılaştırmak için analitik formüllerkullanılmıştır. Teori ve deneyin karşılaştırılmasından, GaInP/GaAs kuantumkuyulu yapı için ara yüzey düzleminden düzgün oranda sapma uzunluğu (Î) veortalama sapma değeri (â) tahmin edilmiş ve düşük sıcaklıklarda ara yüzeypürüzlülüğü saçılmasının alaşım düzensizliği saçılmasından daha baskınolduğunu görülmüştür.Ayrıca GaInP/GaAs heteroarayüzeyde, ara yüzey pürüzlülüğünden vekuantum kuyusu genişliğindeki dalgalanmalardan saçılan hapsolmuş fononlarınmomentum durulma zamanları teorik olarak araştırılmıştır.ANAHTAR SÖZCÜKLER : GaInP/GaAs / ara yüzey pürüzlülüğü saçılması / Hallmobilitesi / taşıma özellikleri

In this work, the effect of interface roughness (IFR) and alloy scatteringmechanisms on the electron Hall mobility in the undoped-GaInP/GaAs quantumwell structure has been considered theoretically. Theoretical calculations havebeen applied on the recently published data in the literature.In order to compare the theory with the experimental results, theanalytical formulas have been used. From the comparison of the theory andexperiment, the correlation length (Î) and lateral size (â) of roughness forGaInP/GaAs quantum well are estimated and it has been shown that theinterface roughness scattering has more dominant mechanism than the alloyscattering at low temperatures.The momentum relaxation times for confined phonons scattering fromwell-width fluctuations and the interface roughness in the GaInP/GaAsheterointerface have been also determined theoretically.KEY WORDS : GaInP/GaAs / interface roughness scattering (IFR) / Hallmobility / transport properties.