İki ve üç boyutlu III-V yarı iletkenlerde sıcak elektron dinamiği

Abstract

Bu çalısmada iki ve üç boyutlu III-V yarıiletkenlerde elektronların yüksek alan tasımaözellikleri üzerine sıcak fonon üretiminin etkisi çalısılmıstır. Ortalama fonon sayısı ve etkinenerji durulma zamanının elektron sıcaklıgı ile degisimi teorik olarak incelenmistir. Ayrıca300 K örgü sıcaklıgında ve farklı tasıyıcı yogunluklarında elektrik alanla sürüklenme hızınındegisimi arastırılmıstır.ki ve üç boyutlu III-V yarıiletkenlerde, ortalama fonon sayısı artan elektron sıcaklıgıile artmakta ve sıcak fonon etkilerinden dolayı etkin enerji durulma zamanı azalmaktadır.Sürüklenme hızı da elektrik alan ile artmakta ve artan fonon sayısı nedeniyle belli bir elektrikalan degerinde doyuma ulasmaktadır.Elde edilen sonuçlar, literatürdeki çalısmalar ile karsılastırılarak analiz edilmistir.ANAHTAR SÖZCÜKLER : sıcak fonon / yüksek alan tasıması / sürüklenme hızı /iki ve üç boyutlu yarıiletkenler / III-V bilesikler.

In this work, the effect of hot phonon production on the high field transport propertiesof electrons in two and three dimensional III-V semiconductors has been studied.Dependences of the average phonon number and effective energy relaxation time on theelectron temperature have been investigated theoretically. Additionally, the drift velocityversus electric field characteristics have been investigated for the different carrier densities atlattice temperature TL = 300 K.In two and three dimensional III-V semiconductors, the effective energy relaxationtime decreases due to the hot phonon effects while the average phonon number increases withincreasing electron temperature, we also show that the drift velocity increases with electricfield and saturates at the certain electric field values due to increasing phonon population.The obtained results were also compared the previous publications.KEY WORDS: hot phonon / high field transport / drift velocity / two and threedimensional semiconductors / III-V compounds.