Impurity effect on spin field effect transistor

Abstract

Spin Alan Etkili Transistör (Spin FET) olarak bilinen iki ferromanyetik malzeme arasındaki katkılı iki boyutlu elektron gazı (2DEG), Spin Alan Etkili Transistör (Spin FET) teorik olarak incelenmiştir. Rashba spin-yörünge etkileşmesinden kaynaklanan spin presesyonu bir boyutlu Data ve Das modeli kullanılarak katkılı durumda çalışılmıştır. Spin presesyon açısının herhangi bir katkı potansiyelinden bağımsız olduğu bulunmuştur. Bundan dolayı iletkenlikteki değişimin bir boyutlu sistemlerde, herhangi bir potansiyelden etkilenmediği gösterilmiştir.

The two dimensional electron gas (2DEG) between two ferromagnetic contacts, known as Spin Field Effect Transistor (Spin FET), is considered theoretically in the presence of impurities.Spin precession due to Rashba spin-oerbit coupling is studid using the model of Datta and Das in the one dimensional channel including impurities.Spin precession angle is found to be independent of an arbitrary impurity potential. Therefore, it is shown that the conductance modulation for purely one dimensional case is not affected by any kind of impurity potential.