Al/p-Si Schottky kontak yapıların sıcaklığa bağlı akım gerilim (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi

Abstract

Schottky diyotların akım-gerilim karakteristiklerinin anlaşılması oldukça ilgi çekicidir. Bu yapıların oda sıcaklığında ölçülmüş akım-gerilim karakteristiklerinin analizi ara yüzeyde engel oluşumunun doğası hakkında ayrıntılı bilgi vermektedir. Ayrıca akım-gerilim karakteristiklerinin sıcaklığa bağımlılığı, iletkenlik mekanizmasının farklı bir açıdan anlaşılmasını sağlamaktadır.Bu çalışmada Al/p-Si Schottky diyotların elektriksel karakteristikleri 150-300 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Akım-gerilim analizlerinin sonucunda düşük sıcaklıklarda görünür engel yüksekliğinde anormal bir azalma ve idealite faktöründe de bir artış olduğu ortaya çıktı. Bu anormallikler metal-yarıiletken ara yüzeyinde ortaya çıkan engel yüksekliklerindeki homojensizlikden kaynaklandığı tespit edildi. Sonuçta Al/p-Si Schottky engel diyottaki homojensizlikler Gauss dağılımı ile başarılı bir şekilde karakterize edilebildi.

Schottky of diodes, a full understanding of the nature of their current-voltage characteristics is of great interests. Analysis of the current-voltage characteristics of these structures measured only at room temperature has given detailed information about the conduction process and the nature of barrier formation at the metal-semiconductor interface. Moreover, the temperature dependence of the current-voltage characteristics allows us to understand from different aspects of conduction mechanisms.İn this work, the electrical characteristics of Al/p-Si Schottky diodes have been measured in the temperature range of 150-300 K. Of The current-voltage analysises has emerged an abnormal decrease of apparent barrier height and increase of ideality factor at low temperature. It is determined that these anormalies result due to the barrier height inhomogeneities prevailing at the metal-semiconductor interface. As a result, homogeneties in Al/p-Si Schottky barrier diode can be successfully characterized by a Gaussian distribution.