Show simple item record

dc.contributor.advisorYıldırım, Memet Ali
dc.contributor.authorCavanmirza, İlke
dc.date.accessioned2021-05-07T11:10:13Z
dc.date.available2021-05-07T11:10:13Z
dc.date.submitted2013
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/614725
dc.description.abstractMnS yarıiletken ince filmler, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) tekniği ile cam taban malzemeler üzerine oda sıcaklığında büyütüldü. Filmlerin yapısal, yüzeysel, optik ve elektriksel özellikleri farklı analiz teknikleri ile incelendi ve film kalınlığının bu özellikler üzerine etkisi araştırıldı. X-ışını kırınımı (XRD) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) analizleri filmlerin polikristal yapıda olduğunu, taban malzeme yüzeyine iyi kaplandığını gösterdi. Optik soğurma ve sıcaklığa bağlı I-V ölçümleri yardımıyla, film kalınlığının 180 nm'den 350 nm'ye artması ile filmlerin yasak enerji aralığı değerleri 3,39 eV'tan 2,92 eV'ta, elektriksel özdirenç değerleri 11,84x106 -cm'den 1,80x106 -cm'ye azaldığı belirlenmiştir. Kırılma indisi (n), statik dielektrik (o) ve yüksek frekans dielektrik sabiti değerleri film kalınlığına bağlı olarak hesaplandı. Sonuç olarak, film kalınlığının filmlerin karakteristik özelliklerinde dikkate değer etkiler oluşturduğu ve bu özelliklerin film kalınlığı ile iyileştiği görüldü.Anahtar Kelimeler: Dielektrik Sabiti, Film Kalınlığı, İnce Film, Kırılma İndisi, MnS, SEM, SILAR, XRD
dc.description.abstractMnS thin films were grown on glass substrates using Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) technique at room temperature. The structural, morphological, optical and electrical properties of the films were investigated by different analysis techniques and the film thickness effect on these properties was analyzed. The X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) analysis showed that all the films exhibited polycrystalline nature and were covered well on substrates. With the help of optical absorption and temperature-dependent I-V measurements, it was determined that band gap values of films decreased from 3,39 eV to 2,92 eV and electrical resistivity changed from 11,84x106 -cm to 1,80x106 -cm as the film thickness increased from 180 nm to 350 nm. The refractive index (n), optical static (o) and high frequency dielectric constants values were calculated as a function of the film thickness. Finally, it was seen that the film thickness have noticeable effects on the characteristic properties of the films and film thickness improves these properties.en_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleSILAR tekniği ile büyütülen MnS ince filmlerin özelliklerinin film kalınlığına bağlı incelenmesi
dc.title.alternativeThe investigation of properties of MnS thin films grown SILAR technique as a function of film thickness
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentFizik Ana Bilim Dalı
dc.subject.ytmSemiconductor thin films
dc.identifier.yokid10022522
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityERZİNCAN ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid351869
dc.description.pages88
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/openAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/openAccess