AIIIBVI kristallerinde fotoiletkenlik ve GaS, GaSe, GaTe ve GaSe1-xTex kristallerle metal-yarıiletken-metal eklemler

Abstract

IV AmBv1 KRİSTALLERİNDE FOTOİLETKENLİK VE GaS, GaSe, GaTe and GaSel-x Tex KRİSTALLERLE METAL - YARIİLETKEN - METAL EKLEMLER Cemalettin Türkmen Fizik Bölümü, Yüksek Lisans Tezi, 2002 Tez Danışmanı : Prof. Dr. Hasan MEMMEDOV ÖZET AIIIBVI (GaS, GaSe,GaTe, InS, InSe, InTe ve alaşım GaSe1-xTex) tabakalı yarıiletken kristaller Bridgman metoduyla büyütülmüştür. Elde edilen kristaller X - işim kırınımı metoduyla analiz edilmiştir. Kristallerin yapısal özellikleri ve örgü parametreleri incelenmiştir. Absorbasyon ve fotoluminesans ölçümleri araştırılmıştır. Metal - yarıiletken Schottky engel eklemler yapılmış ve kristaller araştırılmıştır. Bir metal bir yarıiletken ile kontak yaptığı zaman Schottky engel, şekillenir, metal yarıiletken yüzeyler arasında yük ayrımının oluşumu yarıiletkende mobil yüklerin olmadığı yüksek dirençli bir bölgeyi oluşturacaktır. Eklem kapasitansı ve akün, ışık ve sıcaklık altında uygulanan gerilimin fonksiyonu olarak ölçülmüştür. Gelen fotonlar elektronları uyararak engel üzerinden aşırmıştır. Metal ve metal olmayan yüzeyler arasında yük akışı incelenmiştir. Schottky engellerin akım - voltaj ve kapasitans - sıcaklık karakteristiği tartışılmıştır. Engel yüksekliği ölçüm sonuçlarına göre tüketilmiş tabaka belirlenmiştir. Engel yüksekliğine ışık ve sıcaklığın etkisi araştırılmıştır. AIIIBVI kristalleri için LED ve yarıiletken lazerler, fotodedektörler, MYM fotodiyotlar, optoelektronik modülasyon ve anahtar araçlar incelenmiştir. Anahtar Kelimeler : AIIIBVI Kristaller, Eksiton, Fotodiyot, Fotoiletkenlik, Lazer, LED, Metal - Yarıiletken Eklemler, Optoelektronik Modülasyon, Schottky Engeller, Tabakalı Yarıiletkenler, Tüketilmiş Tabaka,

PHOTOCONDUCTIVITY OF A`^` CRYSTALS AND METAL - SEMICONDUCTOR - METAL JUNCTIONS WITH GaS, GaSe, GaTe and GaSelx Tex CRYSTALS Cemalettin Türkmen Departman of Physics, M.S. Thesis, 2002 Thesis Supervisor : Prof. Dr. Hasan MEMMEDOV SUMMARY AraBVI (GaS, GaSe,GaTe, InS, InSe, InTe and the alloy of GaSei.xTex) layer semiconductor crystals are growthed by Bridgman method. The obtained crystals are analysed with X - ray diffraction method. The structure properties and lattice parameters of crystals are investigated. Absorption and photoluminesans measurements are studied. Metal - semiconductor Schottky Barrier junctions are made and crystals are investigated. Schottky barrier, which forms when a metal is contacted with a semiconductor, arises from the separation of charges at the metal - semiconductor interface such that a high - resistance region devoid of mobile carriers is created in the semiconductor. Junction capacitance and the current are measured as a function of applied bias under illumination and temperature. The incident photons are excited some electrons from the metal over the barrier. The charge current of interfaces between metals and nonmetals is investegated. The current - voltage and capacitance - temperature characteristics of a Shottky barrier are discussed. According to the results of barrier height measurement, the depletion layer thickness is determineted. Effects of light and temperature are investigeted on the barrier height. LED and semiconductor lazers, photodedector, MYM photodiode, optoelectronic modulation and switching devices is investegated for AmBVI crystals. Key Words : A^IBvl Crystals, Depletion Layer, Exciton, Laser, Layered Semiconductors, LED, Metal - Semiconductor Junctions, Optoelectronic Modulation, Photoconductivity, Photodiode, Schottky Barriers,