Katılarda infrared aktif merkezlerin incelenmesi

Abstract

QZET Bu çalışmada kristal yapılarda bulunan noktasal kusurları oluşturan atomların ve bu kusur merkezlerinin simetrisinin infrared spektrumu ile tanımlanabileceği gösterilmek istenmiştir. Bunun için önce kuramsal olarak kristal yapıda örgü titreşimlerini ve tedirginlik kuramını inceledik sonra LEC tekniği ile büyütülmüş olan bor (B) ve silisyum (Si) katkılı Galyum Arsenür (GaAs) kristalinden alınmış bir infrared spektrumu ile deneysel ve kuramsal sonuçları vererek bu merkezleri belirlemeye çalıştık, GaAs : B, Si kristallerinde oluşan kusur merkezlerini i:LB(Ga)( 517,0 cm`1), 10B(Ga)(540,2 cm-1) ve da ha çok B(Ga)-Si(As)(349,0; 570,9; 596,0; 661,0 ve 684,8 cm``1) çiftlerinin meydana getirdiği açıklanmıştır.

II SUMMARY în this study, the definition of the symmetries of the atoms which caused the point defects into the crystal structure and this defect centers are wanted to `be shown. At the first step we theoretically examined the lattice vibrations in the crystal structure and the perturbation theory. în the second one, by using the theoretical and experimental results of the infrared spectrum of galyum arsenide crystals (GaAs) grown by the LEO tecnique doped with silicon (Si) and boron (B) impurities we tried to define this centers. As a result, the defect centers in the galyum arsenide crystals GaAs: B, Si due to xxB(Ga)(517,0 cm`x), xoB(Ga)(540,2 cm~x) and furthermore B(Ga)-Si(As) pairs (349,0; 570,9; 596,0; 661,0 and 684,8 cm`1) is explained.