Farklı katkılanmış yarı iletken malzemelerin arayüzey potansiyel profillerinin belirlenmesi

Abstract

ÖZET Yüksek Lisans Tezi FARKLI «ATKILANMIŞ YARIİLETKEN MALZEMELERİN ARAYÜZEY POTANSİYEL PROFİLLERİNİN BELİRLENMESİ Emine OZTURK Cumhuriyet Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Deli Danışman: Yrd.. Doç. Dr. Yüksel Ergün Bu çalışmada ilk olarak düşük boyutlu sistemlerin temel özellikleri belirtildikten sonra, bulk Si ve GaAs yarıiletkenlerin özellikleri ve bu konuda yapılan çatışmalar özetlenmiştir. Son olarak, self-consistent (kendi-içinde tutarlı) hesap kuralları verilmiş ve iki GaAs tabakası arasında Si tabakası oluşturularak büyütülen £-katkılanmış GaAs yapısında arayüzey potansiyel profili, self-consistent' olarak hesaplanmıştır. ANAHTAR KELİMELER İki-boyutlu elektron gazı, S/-S katkılama GaAs katmanı, arayüzey potansiyel profili, kuantum kuyusu, altband, band eğilmesi, band enerjisi.

ABSTRACT M. Sc. Thesis THE DETERMINATION OF INTERFACE POTENTIAL PROFILES OF DIFFERENTLY DOPED SEMICONDUCTOR MATERIALS Emine ÖZTÜRK Cumhuriyet. University Graduate School of Natural and Applied Science; Department of Physics Supervisor : Dr. Yüksel ERGUN In this study, firstly, the main features of low dimensional systems were reported. Then, general informations about the modulation-doped and £-doped structures were given and the studies about this subject were summarized. Finaffy, seff-consistent calculation rules were expfanied for this aim, interface potential profile in 6-daped GeAs structure grown by forming SHeyer between the two GaAs layers is calculated self-consistently. KEY WORDS : Two-dimensional electron gas (2DEG). Si - S dope, Ga4s layer, interface potential profile, quantum well, subband, band bending, band- energy.