Yarıiletkenlerde basınç etkileri

Abstract

ÖZ Yarıiletkenlerin modern teknolojide geniş kullanım alanı vardır. Yarıiletkenlerin elektronik özellikleri kristalin örgü yapısı ve atomik elektron dağılımıyla belirlenir. Bu çalışmada genellikle kovalent bağlı yarıiletkenlerin elektronik özellikleri ve bant yapısı çalışıldı. Kullanılan yarıiletkenlerde basınç etkileri, atom dizilişlerinin lineer kombinasyonlarında Tight-Binding Teori kullanılarak silisyum ve germanyum yarıiletkenleri çalışıldı. Tight -Binding Teoride yeni parametreler kullanıldı ve bulunan deneysel sonuçlar, teorik hesaplamalarla uygunluk içinde bulundu. Özel olarak literatürdeki sonuçlarla karşılaştırma yapıldı. Bu çalışmanın asıl amacı Tight-Binding Teorinin nasıl kullanıldığını, yeni elektronik özellikler ve yeni parametreler için teknolojik olarak göstermektir. ANAHTAR KELİMELER 1. Silisyum ve Germanyumun Enerji Bantları 2. Elastik Enerji Yoğunluğu 3. Bulk Modülü ve Sıkışabilirlik

ABSTRACT Semiconductors are widely used in modern technology. The electronic properties are mainly defined by their atomic electron conficurations and the lattice structure into which they crysitallize. In the present thesis, covalently bonded elementary semiconductors, are worked generally, their electronic properties, bond gaps ect. Specificially pressure effects on one of the most widely used semiconductors, Si and Ge are studied using the Tight- Binding Theory in Linear Combinations of Atomic scheme. Some very recent parametrs are used in Tight-Binding Theory and the results obtained are found to be in fair agreement with other theoretical calculations and experemental result for of the materials studied. A spesicial comparison is also made with recent literature. Main aim of the present work is to display an example of how Tight-Binding Theory can be used to satisty the technological demands for new materials and new electronic properties. KEY WORDS 1. Energy Band of Silicion and Germanium 2. Elastic Energy Density 3. Bulk Modulus and Compressibility II