Show simple item record

dc.contributor.advisorSari, Hüseyin
dc.contributor.authorYeşilgül, Ünal
dc.date.accessioned2021-05-07T09:03:01Z
dc.date.available2021-05-07T09:03:01Z
dc.date.submitted2004
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/604239
dc.description.abstractÖZET Yüksek Lisans Tezi MAGNETO-DONOR SİSTEMİNİN NANO YAPILARDAKİ ELEKTRONİK VE OPTİK ÖZELLİKLERİNİN ALAN ALTINDAKİ DAVRANIŞI Ünal YEŞİLGÜL Cumhuriyet Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Bölümü Haziran-2004 Danışman: Prof. Dr. Hüseyin SARI Bu çalışmanın ilk aşamasında yarıiletkenler ve düşük boyutlu sistemler hakkında genel bilgi verilmiştir. Daha sonra donor katkılı simetrik GaAs-Gax_xAlxAs kuantum kuyusu, kuantum teli ve kuantum kutusunda impurity bağlanma enerjisi, etkin kütle yaklaşımında varyasyonel olarak, sistemin ayarlanabilir fiziksel parametreleri (kuyu genişliği, safsızlık atomunun konumu) ve dışardan uygulanan manyetik ve elektrik alamn bir fonksiyonu olarak hesaplandı. Çalışmanın son aşamasında kuantum teli için safsızlık atomunun fotoiyonize tesir kesitinin tel genişliği ve dışardan uygulanan manyetik alan ile değişimi incelendi. ANAHTAR KELİMELER: Kuantum Kuyusu, Kuantum Teli, Kuantum Kutusu, impurity Bağlanma, Fotoiyonize Tesir kesiti, Manyetik Alan, Elektrik Alan.
dc.description.abstractSUMMARY MSc Thesis THE FIELD DEPENDENCE OF THE ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF MAGNETO-DONOR SYSTEM IN NANO-STRUCTURE Ünal YEŞİLGÜL Cumhuriyet University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics June-2004 Supervisor: Prof. Dr. Hüseyin SARI In this study firstly, general information about semiconductor and low- dimensional systems is given. Then, the binding energy of impurity in symmetric GaAs/Ga]_xAlxAs quantum wells, quantum wires, quantum box is calculated variationally within the effective mass approximation as a function of adjustable parameters of the system such as the quantum well width, impurity position, external electric, and magnetic field. Finally, the photoionization cross-section in a quantum- well wire in the presence of the magnetic field is calculated as a function of the wire width. KEY WORDS: Quantum Well, Quantum Wire, Quantum Box, Impurity Binding, Fotoiyonize Cross-section, Magnetik Field, Electric Field.en_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleMagneto-donor sisteminin nanoyapılardaki elektronik ve optik özelliklerinin alan altındaki davranışları
dc.title.alternativeThe field dependence of the electronic and optical properties of magneto-donor system in nano-structure
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentFizik Ana Bilim Dalı
dc.identifier.yokid166919
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityCUMHURİYET ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid149913
dc.description.pages65
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/embargoedAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/embargoedAccess