GaAs-AlxGa1-xAs heteroyapı ve çoklu kuantum kuyu IR fotodedektörün elektro-optik özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmanın ilk kısmında, MBE büyütme tekniği ile yurtdışındabüyütülen n+-GaAs-n++-AlGaAs heteroyapıya yerleştirilen tek kuantum kuyusuile elde edilen IR dedektörün potansiyel profilleri, elektronik yoğunluk profillerive altband enerjileri ile altband yerleşimleri self-consistent olarak, Poisson veSchrödinger denklemleri birlikte ele alınarak hesaplanmıştır. Bununla birliktenumunenin akım-sıcaklık ve akım-gerilim eğrileri deneysel olarak ölçülmüştür.Elde edilen deneysel bulguların, yapılan teorik hesaplar ile uyumlu olduğugözlenmiştir. Çalışmanın ikinci kısmında ise, n+-GaAs alt tabaka üzerinde MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) yöntemi ile hazırlanmışGaAs / 0.25 0.75 Al Ga As heteroeklem yapısı fotolüminesans ölçümleriyleincelenmiştir. Düşük sıcaklık bölgesinde ve daha yüksek sıcaklıklarda yapınınakım-gerilim ölçümleri yapılmış ve elde edilen akım-gerilim eğrileriyorumlanmıştır.Anahtar sözcükler: MOVPE, GaAs, AlGaAs, Fotolüminesans, Akım, Gerilim.

In the first part of this study, potential profiles, electron density profiles,subband energies and locations of IR detector obtained by depositing a singlequantum well into the n+-GaAs-n++-AlGaAs growed by using MBE tecnique inEngland are calculated self consistently using both the Poisson and Schrodingerequations. Also, I-V and I-T curvature of the sample are measured. It is seen thatexperimental results are in agreement with theoretical calculations. In the secondpart, the GaAs 0.25 0.75 Al Ga As heterostructure prepared with Metal Organic VaporPhase Epitaxy (MOVPE) method is investigated by photoluminessance(?)measurements. I-V curve of the sample is commented at the low temperatureregion and hihger temperatures.Key Words: MOVPE ,GaAs, AlGaAs, Photoluminescence, Current, Voltage