P-tipi delta katkılı GaAs yapıların elektronik özellikleri

Abstract

Bu çalısmada, katkılama konsantrasyonu ve katkılama kalınlıklarına baglıolarak p-tipi d -katkılı GaAs yapısının potansiyel profilini, yük yogunlugunu,Fermi enerjisini, altband enerji ve altband yerlesimlerini Schrödinger ve Poissondenklemlerinin self-consistent (öz-uyumlu) çözümüyle hesapladık. Elde ettigimizsonuçlara göre, agır hollerin altbandlara yerlesimleri, tüm tasıyıcıların yaklasıkolarak %91'ini içerir ve agır hollerin dolu durum sayısı, hafif hollere kıyasla dahafazladır. Agır hol için bulunan altband enerjileri ve yerlesimleri, katkılamakonsantrasyonu ve katkılama kalınlıgına baglı olarak belirgin bir sekildedegismektedir. Oysa; hafif holler için elde edilen altband enerjisi, katkılamakonsantrasyonuna göre degisirken, altband yerlesimi katkı konsantrasyonuna vekalınlıgına karsı duyarsızdır.ANAHTAR KELİMELER: P-tipi d -katkılama, GaAs yapısı, self-consistent,potansiyel profili, altband yapısı.

In this study, we have calculated the potential profile, the charge density,the Fermi energy, the subband energies and populations as dependent on thedoping concentration and the doping thickness by solving the Schrödinger and thePoisson equations self-consistently. The results we obtained show that the heavyholesubbands contain many more energy occupied states than the light-hole ones,the population of the heavy-hole levels represent approximately 91% of all thecarriers. The subband energies and populations obtained for the heavy-holechange significantly as depend on the doping concentration and thickness.Whereas; while for light-holes the subband energy change with the acceptorconcentration, the subband occupation for the light-hole is not sensitive to thedoping concentration and thickness.KEY WORDS: P-type d -doping, GaAs structure, self-consistent, potentialprofile, subband structure, light hole.