Eğik elektrik alan altında GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum telindeki donor safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri

Abstract

Bu çalışmada, eğik elektrik alan altındaki GaAs/Ga0.7Al0.3As kare ve dikdörtgen kuantum tellerindeki donor safsızlık atomunun taban durum bağlanma enerjisi tel boyutu, elektrik alan şiddeti, eğim açısı ve donor safsızlık atomunun yerine bağlı olarak etkin kütle yaklaşımında varyasyonel olarak hesaplandı. Elde edilen sonuçlar, donor safsızlık atomunun taban durum bağlanma enerjisinin tel boyutları arttıkça azaldığını, büyük tel boyutlarında bağlanma enerjisinin elektrik alana çok duyarlı olduğunu ve eğim açısı arttıkça bağlanma enerjisinin arttığını gösterir.

In this study, the ground state binding energy of donor impurity in square and rectangular GaAs/Ga0.7Al0.3As quantum wires under the tilted electric field as a function of the wire dimension, the electric field strength, tilt angle and donor position has been investigated by using a variational technique within the effective mass approximation. The results show that, as the wire dimensions increase, the ground state binding energy of donor impurity decreases, the impurity binding energy becomes more sensitive to the electric field strenght in the large wire dimensions and as the tilt angle increases the binding energy increases.