Metal aşılanmış yalıtıcılarda optiksel absorbsiyon özelliklerinin incelenmesi

Abstract

IV ÖZET Bu çalışmada silika camların bakırla iyon aşılaması sonucu oluşan optiksel değişimleri ve bunları kontrol eden mekanizmaların incelenmesi amaçlanmıştır. Silika camında iyon aşılamadan dolayı meydana gelen radyasyonun hasan ve numune koşullarının yanı sıra aşılanmış iyonun varlığından meydana gelen, aşılamanın yansıtma, absorbsiyon ve geçirgenlik üzerindeki etkilerin araştırılması, çalışmanın temel basamaklarını oluşturur. Aşılamadan sonra numuneler İstanbul Şişe cam Araştırma Bölümünde mevcut bulunan Perkin - Elmer marka, Lambda 900 UVA/IS/NIR spektrofotometre sistemiyle analiz edilmiştir. Bakır aşılanmış iyonların Rutherford geri saçılma spektrumu, aşılanmış iyon dağılımını incelemek için kullanılmıştır. RBS spektrumları iyon aşılamanın yapıldığı 3MeV bir hızlandırıcı kullanarak Sussex üniversitesinde alınmıştır. Elde edilen sonuçlar, daha önce yapılan bakır aşılanmış yalıtıcılar üzerindeki TEM analizleri ile elde edilen verilerle uyum içersindedir.

V ABSTRACT In this study our aim is to study the optical changes of silica glass after implanted with copper ions, induced and the mechanisms that control them. The basic step of the study is the investigations of the influence of implantation and sample conditions on the reflectivity and transmission changes which occur due to the presence of the implanted ion and/or the radiation damage in the substrate. After the implantation, the samples have been analyzed using Perkin Elmer Spectrofotometer (Lambda 900 UV/VİS/NIR) in istanbul Şişe Cam Research Department. Rutherford Backscattering Spectra (RBS) has been used for the investigation of the implanted ion distribution. The measurement have been taken using 3MeV accelerator at Sussex University. Our results are in good agreement with the data previously obtained TEM (Transmission Electron Macroscopy).