Show simple item record

dc.contributor.advisorKanbur Çavuş, Hatice
dc.contributor.authorAydin, Sefa Burak Kaya
dc.date.accessioned2021-05-07T08:24:57Z
dc.date.available2021-05-07T08:24:57Z
dc.date.submitted2013
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/596550
dc.description.abstractBu çalışmada, Al/TiO2/p-Si Schottky diyotunun elektriksel özellikleri oda sıcaklığında araştırıldı. Diyotun düz ve ters beslem akım-voltaj (I-V) karakteristikleri Termiyonik Emisyon (TE) teorisi kullanılarak incelendi. İdealite faktörü (n), seri direnç (Rs), sıfır beslem engel yüksekliği (?Bo) ve ara yüzey durum yoğunluğu (Nss) değerleri gibi Al/TiO2/p-Si Schottky diyotunun temel elektriksel parametreleri bulundu. Aynı zamanda n, ?Bo, Rs değerleri Cheung metodu kullanılarak da hesaplandı. Hem TE teoreminden hem de Cheung metodundan elde edilen elektriksel parametrelerin birbiri ile yakın uyum sergilediği gözlemlendi. Nss enerji yoğunluğu dağılım profilleri diyotların idealite faktörü (nV) ve etkin bariyer yüksekliğinin (?e) voltaja bağlılığı göz önünde bulundurularak düz beslem I-V karakteristiklerinden elde edildi. Diyotun kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri farklı frekanslarda incelendi (50-500 kHz). Ayrıca Nss değerleri Hill-Coleman metodu kullanılarak hesaplandı. Sonuç olarak, Rs ve Nss değerlerinin elektriksel parametreleri önemli ölçüde etkilediğini gözlemlendi.
dc.description.abstractIn this study, electrical analysis of Al/TiO2/p-Si Schottky diode was investigated at room temperature. The forward and reverse bias current-voltage (I-V) characteristics of diode were studied by using Thermionic Emission (TE) theory. The main electrical parameters of the Al/TiO2/p-Si Schottky diode such as ideality factor (n), zero bias barrier height (?Bo), series resistance (Rs), and interface state density (Nss) values were found. Also, the values of n, ?Bo and Rs were obtained by using the Cheung's method. It was shown that electrical parameters obtained from TE theory and Cheung's method exhibit close agreement with each other. The energy density distribution profiles of the Nss were acquired from the forward bias I-V characteristics by taking into account the voltage dependence of the effective barrier height (?e) and idealite factor (nV) of devices. The capacitance voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) characteristics of diode were investigated in different frequencies (50-500 kHz). In addition, the values of Nss were performed by using Hill-Coleman method. As a result, we have observed that the values of Rs and Nss affected the electrical parameters quietly.en_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleAl/TiO2/p-Si schottky diyotların akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri
dc.title.alternativeCurrent-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of Al/TiO2/P-Si schottky diodes
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentFizik Ana Bilim Dalı
dc.identifier.yokid10011091
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityBOZOK ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid332286
dc.description.pages93
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/openAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/openAccess