SILAR yöntemi ile ZnO yarıiletken filminin elde edilmesi ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada II-VI bileşiklerinden olan ZnO yarıiletken filmleri SILAR (Ardışık İyonik Tabaka Adsorpsiyon ve Reaksiyonu) yöntemi ile cam tabanlar üzerinde 5, 7, 10, 20, 25 ve 30 turlar sonucunda elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin x-ışınları kırınım desenlerinden filmlerin kristal yapısının hekzagonal (wurtzite) olduğu belirlenmiştir. ZnO yarıiletken filmlerin tanecik boyutlarının 15,46 ?19,80 nm arasında değiştiği hesaplanmıştır. Absorpsiyon spektrumlarından direkt bant geçişli oldukları ve yasak enerji aralıklarının 3,13 ile 3,21 eV arasında değiştiği görülmüştür. Film kalınlığı arttıkça absorpsiyon sınırı kırmızı dalgaboyuna doğru kayma (red-shift) göstermiştir. Farklı tur sayılarında elde edilen ZnO yarıiletken filmlerinin optik geçirgenlik yüzdelerinin % 18 ile % 67 arasında bulunduğu tespit edilmiştir.

In this work, ZnO semiconducting films belonging to the II-VI group have been produced by SILAR (Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction) method on glass substrate with 5, 7, 10, 20, 25 and 30 cycles. The x-ray diffraction of the films showed that they are hegzagonal (wurtzite) in structure. Grain size of ZnO semiconductor films varied between 15,46 ? 19,80 nm accordingly with the number of SILAR cycles. The material has exhibited direct band gap transition with the band gap values lying in the range between 3,13 ? 3,21 eV. Absorbation edge is red shift in thicker films. Transmission percents of ZnO semiconductor films varied between % 18 to % 67 accordingly with the number of cycles.